杭州盾源聚芯半导体科技有限公司曹锐获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州盾源聚芯半导体科技有限公司申请的专利一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117506735B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311409383.3,技术领域涉及:B24C1/04;该发明授权一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法是由曹锐;曾西;陈东;祝建敏;刘志彪设计研发完成,并于2023-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法,该加工方法包括以下步骤:S1、利用机械铣削的加工到圆柱形硅材料的扇体;S2、对圆柱形硅材料进行中部镂空的安装槽进行加工得到排气扇外形产品;S3、对步骤S2得到的产品进行表面排气槽加工;S4、将步骤S3中加工完成的产品进行尺寸全检;S5、利用超声洗净设备去除步骤S4加工完成的产品表面的水渍;S6、去除步骤S5中的产品表面的氧化物。本申请能缩短产品加工时长,降低产品表面损伤,提高了产品的加工效率和合格率。
本发明授权一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法在权利要求书中公布了:1.一种基于高压水射流技术的硅材料排气扇加工方法,该方法加工的排气扇6包括呈圆柱形的扇体61,所述扇体61从顶面开始向内开设有呈凸形的安装槽62,所述扇体61顶面绕扇体61轴线呈圆周阵列式开设有多个排气槽63;其特征在于,该加工方法包括以下步骤: S1、利用机械铣削的加工方式对方形硅材料进行粗加工得到符合扇体61尺寸的圆柱形硅材料; S2、利用刀具对圆柱形硅材料进行中部镂空加工得到排气扇6外形产品; S3、调节高压水射流设备的刀具偏移、锥度补偿、下砂量、出水口直径、水刀刀头与产品间距参数,对步骤S2得到的产品进行表面排气槽63加工; S4、将步骤S3中加工完成的产品进行尺寸全检,具体是对槽长、槽宽、位置度、槽间距的尺寸进行检测; S5、利用超声洗净设备去除步骤S4加工完成的产品表面的水渍; S6、选用氢氟酸:硝酸:乙酸配比为3:7:8的混合溶液去除步骤S5中的产品表面的氧化物。
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