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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种具有欠压保护功能的基准电流源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117348678B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311487888.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种具有欠压保护功能的基准电流源电路是由邓晓军;郑家强;李典;杨聪;李逊博设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有欠压保护功能的基准电流源电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有欠压保护功能的基准电流源电路，包括基准电流源启动电路、基准电流源主电路和欠压保护电路，基准电流源启动电路的输入端与芯片的主控制电路相连，基准电流源启动电路的输出端与基准电流源主电路的输入端相连，基准电流源主电路的输出端与欠压保护电路的输入端相连，欠压保护电路的输出端与芯片的主控制电路相连，基准电流源主电路内设有3个相同尺寸的场效应管且3个场效应管构成电流镜，基准电流源主电路内还设有电阻R1、三极管Q1和三极管Q2，电阻R1的两端分别与三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极相连。本发明的有益效果为：能够将芯片中的欠压保护模块与基准电流源结合，电路结构简单，有较小的静态电流。

本发明授权一种具有欠压保护功能的基准电流源电路在权利要求书中公布了：1.一种具有欠压保护功能的基准电流源电路，设置于芯片内，其特征在于：包括基准电流源启动电路、基准电流源主电路和欠压保护电路，所述基准电流源启动电路的输入端与芯片的主控制电路相连，所述基准电流源启动电路的输出端与所述基准电流源主电路的输入端相连，所述基准电流源主电路的输出端与所述欠压保护电路的输入端相连，所述欠压保护电路的输出端与芯片的主控制电路相连，所述基准电流源主电路内设有3个相同尺寸的场效应管且3个所述场效应管构成电流镜，所述基准电流源主电路内还设有电阻R1、三极管Q1和三极管Q2，所述电阻R1的两端分别与所述三极管Q1的发射极、所述三极管Q2的发射极相连，所述基准电流源启动电路能够控制所述基准电流源主电路启动产生基准电流并通过所述欠压保护电路输出至芯片的主控制电路，且所述欠压保护电路能够在所述基准电流源主电路的输出电压低于欠压阈值时主动断开与芯片的主控制电路的连接；其中，所述基准电流源主电路内还设有场效应管PM7和三极管Q3，所述欠压保护电路设有场效应管PM8和场效应管PM9，其中，所述欠压保护电路还设有场效应管NM5、场效应管NM6、场效应管NM7、场效应管NM8、场效应管NM9和场效应管NM10，其中，所述场效应管PM8的漏极还与所述场效应管NM5的漏极、所述场效应管NM5的栅极、所述场效应管NM6的栅极相连，所述场效应管PM9的漏极还与所述场效应管NM6的漏极、所述场效应管NM9的栅极相连，所述场效应管NM5的源极与所述场效应管NM7的漏极、所述场效应管NM7的栅极、所述场效应管NM8的栅极、所述场效应管NM9的漏极、所述场效应管NM10的栅极相连，所述场效应管NM9的源极与所述场效应管NM10的漏极相连，所述场效应管NM6的源极与所述场效应管NM8的漏极相连，所述场效应管NM7的源极、所述场效应管NM8的源极、所述场效应管NM10的源极接地，所述NM5的漏极与所述场效应管PM7的栅极连接，所述场效应管PM7的栅极与所述欠压保护电路的输入端相连，所述场效应管PM7的漏极与所述三极管Q3的集电极相连，所述三极管Q1的发射极与所述三极管Q3的发射极、所述电阻R1的一端相连，所述三极管Q2的发射极、所述电阻R1的另一端接地。

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