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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种与温度无关的参考源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117193461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311395382.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种与温度无关的参考源电路是由宋敏;刘文韬;彭克武;苟超;雷旭;王志皓;赵镱翔设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种与温度无关的参考源电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路设计领域，具体涉及一种与温度无关的参考源电路，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第三NPN晶体管、第四NPN晶体管、第五NPN晶体管、第六NPN晶体管、第七NPN晶体管、第八NPN晶体管、第九NPN晶体管、第十NPN晶体管、第十一NPN晶体管、第十二NPN晶体管、电容、电源端、输入信号端以及接地端；本发明电路产生的输出电压和输出电流具有温漂低、结构简单、设计复杂度低、占用芯片面积小等特点。

本发明授权一种与温度无关的参考源电路在权利要求书中公布了：1.一种与温度无关的参考源电路，其特征在于，包括第一～第四电阻、第一～第七PMOS管、第一～第十二NPN晶体管、电容、电源端、输入信号端以及接地端，其中： 第一～第六PMOS管的源极与电源端连接，第一PMOS管的栅极与其漏极、第一NPN晶体管的集电极以及第二～第四PMOS管的栅极连接在一起，第一NPN晶体管的基极与第二NPN晶体管的基极、第二PMOS管的漏极、第六NPN晶体管的集电极和电容的一端连接在一起； 第一NPN晶体管的发射极与第一电阻、第二电阻的一端连接在一起，第一电阻的另一端与第三NPN晶体管的集电极、基极以及第四NPN晶体管、第五NPN晶体管的基极连接在一起； 第二电阻的另一端与第四NPN晶体管的集电极、第六NPN晶体管的基极和电容的另一端连接在一起； 第四NPN晶体管的发射极与第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与接地端连接； 第二NPN晶体管的集电极与电源端连接，发射极与第五NPN晶体管的集电极连接，并作为电路的电压源输出端； 第五PMOS管的栅极与其漏极、第六PMOS管的栅极和第八NPN晶体管的集电极连接在一起； 第七PMOS管的栅极与输入信号端连接在一起，源极与第三PMOS管的漏极、第六PMOS管的漏极连接在一起，漏极与第九NPN晶体管的集电极、基极以及第十NPN晶体管的基极连接在一起； 第八NPN晶体管的基极与第四PMOS管的漏极、第七NPN晶体管的集电极连接在一起，发射极与第七NPN晶体管的基极、第四电阻的一端连接在一起；第四电阻的另一端与接地端连接； 第九NPN晶体管的发射极与第十一NPN晶体管的集电极、基极以及第十二NPN晶体管的基极连接在一起； 第十NPN晶体管的集电极作为与温度无关的电流源输出端，发射极与第十二NPN晶体管的集电极连接； 第三NPN晶体管、第五NPN晶体管、第六NPN晶体管、第七NPN晶体管、第十一NPN晶体管、第十二NPN晶体管的发射极与接地端连接。

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