湖北九峰山实验室李成果获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氮化物半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310988527.9，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种氮化物半导体器件及其制备方法是由李成果;沈晓安设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种氮化物半导体器件及其制备方法，该氮化物半导体器件的主要改进之处在于，通过位于氮化物半导体薄膜上的第一绝缘结构和从衬底背面朝向正面方向开设的深槽型第二绝缘结构实现电学隔离，该氮化物半导体器件可以继续沿用现有的硅基GaN外延技术，不使用相对昂贵的SOI衬底，即可完成器件的制备并能够达到很好的隔离效果，且背面深槽可与划线道对齐，节省面积，提高切片良率，还可以避免使用热导率较低的SiO22埋层，保证衬底更好的散热能力。
本发明授权一种氮化物半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括衬底1、形成在所述衬底1正面的氮化物半导体薄膜2、制作在氮化物半导体薄膜2上的上部晶体管和下部晶体管，所述上部晶体管和下部晶体管之间通过第一绝缘结构6和第二绝缘结构7实现电学隔离； 所述第一绝缘结构6为位于氮化物半导体薄膜2上的沟道隔离区，所述第二绝缘结构7为从衬底1背面朝向正面方向开设的深槽，所述深槽与沟道隔离区连接； 其中，所述深槽为阶梯型深槽，所述阶梯型深槽在衬底1上向下部晶体管漏极方向延伸； 还包括电介质层B4，所述电介质层B4沉积在衬底1背面及深槽中； 还包括金属层5，所述金属层5沉积在电介质层B4上及深槽中。
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