湖北九峰山实验室吴畅获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117012811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310895999.X，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法是由吴畅;王凯;郭涛;刘捷龙;邢绍琨设计研发完成，并于2023-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，采用2组以上的β相的AlxxGa1‑x1‑x22O33Ga22O33异质结结构，通过故意掺杂的δ‑Si调制在每组沟道的异质结界面处中产生二维电子气2DEG，降低了导通电阻；通过源漏区域再生长的方式保证各沟道2DEG与源漏区域相连，提高了Wafer平整度，降低了工艺风险，同时又有助于形成良好的欧姆接触；采用Fin结构的栅电极来形成侧栅和顶栅对沟道的半包围结构，在保证栅极对下层沟道的控制能力的同时，实现多阈值耦合提高器件线性度，并对沟道载流子迁移率有一定的提升效果。
本发明授权一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓非极化异质结多沟道Fin-HEMT器件，其特征在于，由下至上包括衬底、缓冲层、多沟道层、T型栅极、源极和漏极，所述多沟道层的左右两边分别为源区和漏区；所述多沟道层包括N个β-Ga2O3基异质结，每个异质结由沟道层、δ调制掺杂层和势垒层堆叠组成，N≥2；所述T型栅极为Fin结构的栅电极； 异质结沟道层为非故意掺杂的β-Ga2O3，δ调制掺杂层为δ-Si掺杂的β-AlxGa1-x2O3，势垒层为非故意掺杂的β-AlxGa1-x2O3，其中0＜x＜1。
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