中国科学院合肥物质科学研究院;北京雪迪龙科技股份有限公司李民强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院;北京雪迪龙科技股份有限公司申请的专利一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116953049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310884531.0，技术领域涉及：G01N27/333；该发明授权一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及应用是由李民强;刘子豪;蔡鑫;杨猛;戴海花;罗武文;李培华;张倩暄;黄行九设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及其制备方法和应用。其包括包覆在电极表面的转导层，转导层的材料的制备包括：将铜源、CTAB溶解到无水乙醇中，然后加入硫粉，超声分散均匀得混合液；将混合液进行溶剂热反应，对反应沉淀物进行后处理即得转导层的材料。本发明采用一步溶剂热法通过添加不同量CTAB表面疏水调控CuS，制备不同纳米结构CuS‑CTAB作为转导层修饰到玻碳电极表面，在其表面滴注钙离子选择性膜构建以CuS‑CTAB为转导层的钙离子选择性电极。CuS‑CTAB具有大的比电容及优异的疏水性，将其作为转导层能够加快离子‑电子的传导速率、抑制界面水层的形成，提高电极电位的稳定性。
本发明授权一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于高疏水硫化铜的全固态钙离子选择性电极，包括包覆在电极表面的转导层、在包覆有转导层的电极顶部的钙离子选择性膜，其特征在于：所述转导层的材料的制备方法包括以下步骤： 1将铜源、CTAB溶解到无水乙醇中，然后加入硫粉，超声分散均匀得混合液；所述铜源、硫粉的摩尔比为2mmol：4mmol，每加入2mmol铜源则加入CTAB的质量为25-75mg； 2将步骤1中混合液进行溶剂热反应，对反应沉淀物进行后处理即得转导层的材料；其中溶剂热反应为在120-180℃下加热8-18小时。
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