圣邦微电子(北京)股份有限公司张利地获国家专利权
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龙图腾网获悉圣邦微电子(北京)股份有限公司申请的专利一种高压输入级电路及高压输入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116931632B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210380906.5，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种高压输入级电路及高压输入方法是由张利地设计研发完成，并于2022-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高压输入级电路及高压输入方法在说明书摘要公布了：一种高压输入级电路，其特征在于：所述电路包括电流源、第一输入单元、第二输入单元和负载电路；其中，所述电流源分别经过所述第一输入单元、第二输入单元与负载电路连接，并将所述第一输入单元、所述第二输入单元分别生成的正相输入电流和负相输入电流输出至所述负载电路中。本发明方法简单、构思巧妙，充分利用了LDMOS管和齐纳二极管的特性，实现了高输入差分电压条件下输入对的安全工作。另外，在高输入差分电压环境下，仍能够保持输入端不存在偏置电流，使差分输入阻抗很高。
本发明授权一种高压输入级电路及高压输入方法在权利要求书中公布了：1.一种高压输入级电路，其特征在于： 所述电路包括电流源、第一输入单元、第二输入单元和负载电路；其中， 所述电流源分别经过所述第一输入单元、第二输入单元与负载电路连接，并将所述第一输入单元、所述第二输入单元分别生成的正相输入电流和负相输入电流输出至所述负载电路中； 所述第一输入单元、所述第二输入单元的电路结构相同；并且， 所述第一输入单元接收正相输入电压IN+，所述第二输入单元接收负相输入电压IN-； 所述第一输入单元中包括第一LDMOS管和第三LDMOS管；其中， 所述第一LDMOS管和所述第三LDMOS管的源极相互连接，栅极相互连接并接入正相输入电压IN+，第三LDMOS管的漏极与负载电路连接，第一LDMOS管的漏极与所述电流源的输出端连接； 所述第二输入单元中包括第二LDMOS管和第四LDMOS管；其中， 所述第二输入单元与第一输入单元的电路结构相同，且所述第二LDMOS管和第四LDMOS管的栅极接入至负相输入电压IN-。
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