西安热工研究院有限公司王弘喆获国家专利权
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龙图腾网获悉西安热工研究院有限公司申请的专利一种导电TiCuO抗氧化薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116875948B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310654896.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种导电TiCuO抗氧化薄膜及其制备方法是由王弘喆;张磊;崔雄华;杨哲一;崔锦文设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导电TiCuO抗氧化薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种导电TiCuO抗氧化薄膜及其制备方法，通过二步法制备出导电TiCuO抗氧化薄膜,所述二步法制备出导电TiCuO抗氧化薄膜，具体包括以下步骤:S1采用直流反应磁控溅射，氮气作为反应气体，通过钛靶和铜靶共溅射，制备出金属Cu掺杂的纳米TiCuN薄膜；S2将制备得到的TiCuN薄膜在空气气氛下进行高温氧化热处理，空气中的O原子取代了TiCuN晶格中的N原子，从而制备得到TiCuO薄膜；突破了传统的金属掺杂氧化物薄膜的方法，其工艺简单，薄膜的电阻率得到了大幅度下降，提高了薄膜的导电性能的同时，其化学稳定性能得到了提高，且环境友好。
本发明授权一种导电TiCuO抗氧化薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种导电TiCuO抗氧化薄膜的制备方法，其特征在于，通过二步法制备出导电TiCuO抗氧化薄膜,所述二步法制备出导电TiCuO抗氧化薄膜，具体包括以下步骤: S1采用直流反应磁控溅射，氮气作为反应气体，通过钛靶和铜靶共溅射，制备出金属Cu掺杂的纳米TiCuN薄膜; S2将制备得到的TiCuN薄膜在100～400℃空气气氛下进行氧化热处理，空气中的O原子取代了TiCuN晶格中的N原子，从而制备得到TiCuO薄膜，所述TiCuO薄膜包括：TiCuO相和TiCuN相。
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