湖北九峰山实验室刘兴林获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种制备p型β-Ga2O3的方法、制备得到的β-Ga2O3及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116812967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310500957.1，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种制备p型β-Ga2O3的方法、制备得到的β-Ga2O3及其应用是由刘兴林;魏强民;黄俊;杨冰设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备p型β-Ga2O3的方法、制备得到的β-Ga2O3及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种制备p型β‑Ga22O33的方法、制备得到的β‑Ga22O33及其应用。所述方法包括以下步骤：将β‑Ga22O33薄膜处理至氧空位浓度达到预设值后迅速冷却至室温，之后将处于超临界流体状态的N22O引入处理后的β‑Ga22O33薄膜中，180～220℃、≥7.26Mpa的条件下氧化处理30～60min氧化氧空位，最后将氧化处理后的β‑Ga22O33薄膜在550～650℃的温度下退火处理30～60min，即得。该方法基于N22O的超临界流体工艺来降低β‑Ga22O33氧化镓背景载流子浓度，提高深能级镓空位浓度和氮原子的有效掺杂，实现对β‑Ga22O33的本征缺陷和价带工程调控，制备得到的p型β‑Ga22O33，能够应用于双极型β‑Ga22O33基电力电子器件、射频器件。
本发明授权一种制备p型β-Ga2O3的方法、制备得到的β-Ga2O3及其应用在权利要求书中公布了：1.一种制备p型β-Ga2O3的方法，其特征在于，包括以下步骤： 将β-Ga2O3薄膜退火处理至氧空位浓度达到预设值1018~1020cm-3后迅速冷却至室温； 将处于超临界流体状态的N2O引入处理后的β-Ga2O3薄膜中，180~220℃、≥7.26MPa的条件下氧化处理30~60min； 将氧化处理后的β-Ga2O3薄膜在氧气空气氛围中，550~650℃的温度下退火处理30~60min，即得。
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