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龙图腾网获悉南京信息工程大学申请的专利贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116794117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310701390.4，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法是由邵绍峰;李佳乐;赵国娇设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法，所述复合薄膜以碳纳米管为基底，在基底上依次负载金属氧化物半导体量子晶粒、共价有机骨架化合物COF‑LZU和贵金属，所述传感器以传感器件为基底，在基底表面沉积贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜，可用于检测丙酮。本发明采用贵金属@COF‑LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜作为敏感层应用于丙酮CP气敏传感器中，该复合薄膜工作温度低，对气体灵敏度高，对丙酮选择性高、可重复性好、稳定性好，成本低廉、制备方法简单，可大规模生产。

本发明授权贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜的传感器，其特征在于，所述复合薄膜以碳纳米管为基底，在基底上依次负载金属氧化物半导体量子晶粒、共价有机骨架化合物COF-LZU和贵金属；所述传感器以传感器件为基底，在基底表面沉积贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜；所述的基于贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜的传感器的制备方法，包括以下步骤： 1在传感器件表面制备碳纳米管基底，得负载碳纳米管基底的传感器件； 2将负载碳纳米管基底的传感器件浸入金属氧化物半导体前驱体溶液中进行提拉镀膜，取出干燥处理，再置于密闭容器中，利用水蒸气辅助结晶处理，处理好后再进行辉光处理，得负载金属氧化物半导体@碳纳米管复合薄膜的传感器件； 3将负载金属氧化物半导体@碳纳米管复合薄膜的传感器件浸入共价有机骨架化合物COF-LZU前驱体溶液中进行提拉镀膜，取出真空干燥，处理好后进行有机溶剂蒸汽辅助结晶处理，清洗和干燥，得负载共价有机骨架化合物COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜的传感器件； 4在保护气中，将负载共价有机骨架化合物COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜的传感器件浸入贵金属盐混合溶液中，进行提拉镀膜，取出干燥处理，再置于氩气保护中，放入有机溶剂蒸汽中进行热蒸处理，清洗干燥后，再进行辉光处理，即得基于贵金属@COF-LZU@MOS量子晶粒@碳纳米管复合薄膜的传感器。

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