延安大学冷德营获国家专利权
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龙图腾网获悉延安大学申请的专利一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116773509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310745408.0，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底及其制备方法是由冷德营;马小勇;杨明明;朱卓卓;吴雄雄;杨亮;杨延宁设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及表面增强拉曼散射领域，具体提供了一种三维SnSe22表面增强拉曼散射衬底及其制备方法。三维SnSe22表面增强拉曼散射衬底包括过滤层，过滤层上有多个滤孔，过滤层的上侧面固定设置有SnSe22纳米结构层，SnSe22纳米结构层由SnSe22纳米结构组成，SnSe22纳米结构为SnSe22纳米花，SnSe22纳米花覆盖过滤层，且SnSe22纳米花封堵过滤层上的滤孔。SnSe22纳米花结构中没有竖直贯穿的间隙，这使得SnSe22纳米花对光场的局域效果较好，从而提升拉曼信号增强因子。三维SnSe22表面增强拉曼散射衬底的制备方法包括如下步骤：S1，制备SnSe22纳米花；S2，制备SnSe22纳米花的水溶液；S3，进行抽滤，得到SnSe22表面增强拉曼散射衬底。本发明制备方法不使用分子束外延方法制备，成本较低。
本发明授权一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底，所述衬底包括过滤层，所述过滤层上有多个滤孔，其特征在于，所述过滤层的上侧面固定设置有SnSe2纳米结构层，所述SnSe2纳米结构层由SnSe纳米结构组成，所述SnSe纳米结构为SnSe纳米花，所述SnSe纳米花覆盖所述过滤层，且所述SnSe纳米花封堵所述过滤层上的所述滤孔。
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