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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310797039.X，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法是由张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法，属于太赫兹发射领域。自旋太赫兹发射器为包括铁磁材料层、非铁磁材料层和反铁磁层的三层结构，反铁磁层采用预设晶相的NiO单晶反铁磁材料、CrSb或Mn33Sn，在飞秒激光的照射下，反铁磁层产生激光冲击磁矩，激光冲击磁矩进动产生自旋极化流，自旋极化流注入至非铁磁层后产生瞬态的电荷流，进而辐射出太赫兹，实现高效自旋太赫兹辐射；进一步通过旋转外磁场方向或通过自旋轨道矩效应对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转，实现太赫兹手性的高效调控。

本发明授权一种自旋太赫兹发射器及其手性调控方法、制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋太赫兹发射器的手性调控方法，其特征在于，所述手性调控方法包括： 通过旋转外磁场方向对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转，以实现太赫兹手性的调控；所述自旋太赫兹发射器包括：铁磁材料层、非铁磁材料层和反铁磁层；非铁磁材料层设置于铁磁材料层与反铁磁层之间；所述反铁磁层采用预设晶相的NiO单晶反铁磁材料、CrSb或Mn3Sn；在飞秒激光的照射下，反铁磁层产生激光冲击磁矩，激光冲击磁矩进动产生自旋极化流，自旋极化流注入至非铁磁层后产生瞬态的电荷流，进而辐射出太赫兹； 通过旋转外磁场方向对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转，具体包括： 在自旋太赫兹发射器上施加-200mT~200mT的外磁场，旋转外磁场以对自旋太赫兹发射器中铁磁材料层的磁矩方向进行翻转； 当外磁场的磁场角度为0°或180°时，自旋太赫兹发射器辐射出的太赫兹波为线偏振； 当外磁场的磁场角度大于0°小于180°且不等于90°时，或当外磁场的磁场角度大于180°小于360°且不等于270°时，自旋太赫兹发射器辐射出斜椭圆偏振太赫兹波； 当外磁场的磁场角度等于90°或270°，且铁磁非铁磁异质结所产生的皮秒电荷流Jc1与反铁磁非铁磁异质结所产生的皮秒电荷流Jc2不相等时，自旋太赫兹发射器辐射出正椭圆偏振；所述铁磁非铁磁异质结为铁磁材料层与非铁磁材料层形成的异质结；所述反铁磁非铁磁异质结为反铁磁层与非铁磁材料层形成的异质结； 当外磁场的磁场角度等于90°或270°，且铁磁非铁磁异质结所产生的皮秒电荷流Jc1与反铁磁非铁磁异质结所产生的皮秒电荷流Jc2相等时，自旋太赫兹发射器辐射出圆偏振太赫兹波； 当外磁场与反铁磁层的交换偏置有夹角，且外磁场再旋转180°后，调控出旋向相反的太赫兹波。

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