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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种透射阵天线的超表面调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613537B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310608909.4，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种透射阵天线的超表面调控方法是由张云华;邓固颖;何思远;朱国强;高火涛设计研发完成，并于2023-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种透射阵天线的超表面调控方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种透射阵天线的超表面调控方法。本方法，通过两个电磁超表面平面的相位调制实现高口径效率低副瓣特性的设计，第一超表面平面通过相位调制实现低副瓣特性所要求的切比雪夫辐射场口径分布，同时相位控制也在低副瓣特性设计过程避免了能量的损失，从而实现高口径效率的特性。第二电磁超表面平面通过相位调制实现高增益的天线波束，并控制整个天线波束的指向方向，从而实现所要求的辐射方向。本方法能够避免相关技术设计低副瓣特性方法中产生的能量损失，从而能够在设计低副瓣的条件下实现高口径效率。

本发明授权一种透射阵天线的超表面调控方法在权利要求书中公布了：1.一种透射阵天线的超表面调控方法，其特征在于，包括： 在天线的喇叭馈源的辐射路径上由近至远依次配置的第一超表面平面、第二超表面平面； 获取喇叭馈源辐射到所述第一超表面平面的入射电场分布； 根据所述第一超表面平面的入射电场分布和目标副瓣所需的幅度分布，基于粒子群优化算法，获得第一超表面平面的出射电场分布包括： 初始化部分区域的第一超表面平面的出射电场分布对应相位分布； 将所述相位分布套通过镜像拓展到第一超表面平面的所有区域，形成第一超表面平面的出射电场相位分布； 将所述第一超表面平面的出射电场相位分布与第一超表面平面的出射电场幅度分布组合成第一超表面平面的出射电场分布，其中，第一超表面平面的出射电场幅度分布相同于第一超表面平面的入射电场所对应幅度分布； 其中，第一超表面平面的出射电场分布对应相位定义为： 其中为第一超表面平面的边长，为第一超表面平面中心建立的二维坐标系上横坐标值，为第一超表面平面中心建立的二维坐标系上纵坐标值，为第一超表面平面对应横纵坐标的出射电场相位值； 第一超表面平面的出射电场分布对应幅度分布具体定义为： 其中为第一超表面平面的边长，为第一超表面平面中心建立的二维坐标系上横坐标值，为第一超表面平面中心建立的二维坐标系上纵坐标值，为第一超表面平面对应横纵坐标的出射电场幅值；根据所述第一超表面平面的出射电场分布和第一超表面平面的入射电场分布，基于物理光学电磁算法，获得第二超表面平面的入射电场分布； 根据目标口径效率所需的相位分布，调控第二超表面平面的入射电场分布获得第二超表面平面的出射电场分布； 将所述第一超表面平面的入射电场分布对应相位分布、第一超表面平面的出射电场分布所对应相位分布确定为针对于第一超表面平面的第一目标调控相位； 将第二超表面平面的入射电场分布所对应相位分布，确定为针对于第二超表面平面的第二目标调控相位。

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