中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘文东获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116560178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210114485.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质是由刘文东设计研发完成，并于2022-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，修正方法包括：提供原始版图层，原始版图层包括平行排布的设计图形，沿设计图形的排布方向，相邻设计图形相对的边作为禁止边，相邻设计图形相背离的边作为非禁止边，且相邻设计图形之间的间隔具有最小设计规则值；在相邻设计图形相背离的非禁止边一侧添加与非禁止边相邻接的第一补偿图形；添加第一补偿图形之后，在设计图形的禁止边一侧添加与禁止边相邻接的第二补偿图形，相邻接的设计图形、第一补偿图形和第二补偿图形构成修正后图形，且沿设计图形的排布方向，相邻修正后图形之间的间隔大于最小设计规则值。降低了相邻修正后图形之间的间隔小于最小设计规则值的概率。
本发明授权光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供原始版图层，所述原始版图层包括平行排布的设计图形，沿所述设计图形的排布方向，相邻所述设计图形相对的边作为禁止边，相邻所述设计图形相背离的边作为非禁止边，且相邻所述设计图形之间的间隔具有最小设计规则值； 在相邻所述设计图形相背离的非禁止边一侧添加与所述非禁止边相邻接的第一补偿图形； 添加所述第一补偿图形之后，在所述设计图形的禁止边一侧添加与所述禁止边相邻接的第二补偿图形，相邻接的所述设计图形、第一补偿图形和第二补偿图形构成修正后图形，且沿所述设计图形的排布方向，相邻所述修正后图形之间的间隔大于所述最小设计规则值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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