苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116490979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106285.0，技术领域涉及：H10W10/20；该发明授权半导体结构及其制作方法是由程凯;向鹏设计研发完成，并于2020-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的多个堆叠结构与多个隔离结构，堆叠结构间隔分布，隔离结构位于相邻堆叠结构之间，堆叠结构自下而上包括：成核层与第一外延层；以及位于多个堆叠结构上的异质结结构，异质结结构整面分布，异质结结构与隔离结构之间形成空气隙。利用隔离结构将堆叠结构隔开，一方面堆叠结构可做厚，增加异质结结构的交界面与衬底导电层之间的距离，利于减少半导体衬底漏电，另外还可以减少寄生电容，从而降低射频损耗；另一方面，堆叠结构做厚后，隔断开的堆叠结构可减弱应力累加，因而不会出现开裂。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体衬底10； 位于所述半导体衬底10上的多个堆叠结构11与多个隔离结构12，所述堆叠结构11间隔分布，所述隔离结构12位于相邻所述堆叠结构11之间；所述堆叠结构11自下而上包括：成核层111与第一外延层113，所述隔离结构12的厚度小于所述堆叠结构11的厚度；以及 位于所述多个堆叠结构11上的异质结结构13，所述异质结结构13整面分布，所述异质结结构13与所述隔离结构12之间形成空气隙14，所述空气隙14位于相邻的所述堆叠结构11之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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