京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司郭景文获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利移相器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116458006B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180003371.3,技术领域涉及:H01P1/18;该发明授权移相器是由郭景文;吴倩红;曲峰设计研发完成,并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本移相器在说明书摘要公布了:本申请提供了一种移相器,涉及微机电系统技术领域,能有效降低静电吸附导致的导电桥与第一隔离部的粘附风险,提升器件的稳定性。移相器包括:基底;设置在基底一侧的第一走线和第二走线;第一走线相对的两侧分别设置第二走线,第一走线和第二走线平行设置、且相互绝缘;至少一个导电桥;导电桥与第一走线交叉设置、且相互绝缘;导电桥的两端分别与位于第一走线两侧的第二走线搭接、且相互绝缘;第一隔离部;第一隔离部设置在第一走线靠近导电桥的一侧、且导电桥中与第一走线交叉的部分在基底上的正投影位于第一隔离部在基底上的正投影以内;第一隔离部靠近导电桥一侧的表面不平坦。
本发明授权移相器在权利要求书中公布了:1.一种移相器,其中,包括: 基底; 设置在所述基底一侧的第一走线和第二走线;所述第一走线相对的两侧分别设置所述第二走线,所述第一走线和所述第二走线平行设置、且相互绝缘; 至少一个导电桥;所述导电桥与所述第一走线交叉设置、且相互绝缘;所述导电桥的两端分别与位于所述第一走线两侧的所述第二走线搭接、且相互绝缘; 第一隔离部;所述第一隔离部设置在所述第一走线靠近所述导电桥的一侧、且所述导电桥中与所述第一走线交叉的部分在所述基底上的正投影位于所述第一隔离部在所述基底上的正投影以内;所述第一隔离部靠近所述导电桥一侧的表面不平坦; 所述第一隔离部包括第一隔离单元和第二隔离单元;所述第一隔离单元靠近所述导电桥的一侧表面平坦,所述第二隔离单元设置在所述第一隔离单元靠近所述导电桥的一侧; 所述第二隔离单元包括阵列排布的多个凸起;多个所述凸起在所述基底上的正投影位于所述导电桥中与所述第一隔离单元交叠的部分在所述基底上的正投影以内; 所述第一隔离单元的相对介电常数大于所述第二隔离单元的相对介电常数。
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