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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116332114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111598453.5，技术领域涉及：G01M3/00；该发明授权用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构是由王诗男设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构，所述气密性监测结构包括：第一基板；第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合以使所述第一基板的第一主面上的空腔与所述第二基板形成气密性空腔，所述微电子器件位于所述气密性空腔中；密封室，所述密封室由设置于所述第二基板上的膜层与周围环境气密性阻隔，所述密封室内的气压与所述气密性空腔内的气压正相关，所述膜层配置为根据密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。本发明可解决真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题，所述气密性监测结构简单、量测过程简易可行，因而具有实用价值。

本发明授权用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构在权利要求书中公布了：1.一种用于微电子器件的真空腔内部的气密性监测结构，其特征在于，包括： 第一基板，所述第一基板的第一主面的表面上形成有用于容纳微电子器件的空腔； 第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，所述第二基板的第一主面与所述第一基板的第一主面键合以使所述空腔与所述第二基板形成气密性空腔，所述微电子器件位于所述气密性空腔中； 密封室，所述密封室由设置于所述第二基板上的膜层与周围环境气密性阻隔，所述密封室内的气压与所述气密性空腔内的气压正相关，所述膜层配置为根据所述密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形； 所述膜层为设置于所述第二基板的第一主面上，所述膜层与设置于所述第一基板的第一主面上的凹部构成所述密封室，所述膜层与所述第二基板的第一主面气密性接触，所述气密性监测结构还包括设置于所述第二基板上的贯穿孔，所述贯穿孔与所述密封室中心对准且所述膜层悬空于所述贯穿孔与所述密封室之间；或者： 所述膜层为设置于所述第二基板的第二主面上，所述膜层、所述第一基板与位于所述第二基板上的贯穿孔构成所述密封室，所述膜层与所述第二基板的第二主面形成气密性接触。

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