上海新微技术研发中心有限公司王诗男获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116332112B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111598421.5，技术领域涉及：G01M3/00；该发明授权微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法是由王诗男设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法，其包括：提供第一基板；提供第二基板，接着于所述第二基板的第二主面上形成膜层；于所述第二基板的第一主面上形成底部显露出所述膜层一部分的凹部，所述第二基板的第二主面上还形成有用于容纳微电子器件的空腔；使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合，以使所述空腔与所述第一基板形成气密性空腔，同时使所述凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据所述密封室与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形。通过本发明所述的制作方法，可以在将微电子器件键合封装的同时形成该气密性监测结构，可解决现有技术中真空腔内MEMS器件的可信度较低等问题。
本发明授权微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于微电子器件的真空腔内部气密性监测结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供第一基板； 提供第二基板，所述第二基板包括相对的第一主面和第二主面，接着于所述第二基板的第二主面上形成膜层； 于所述第二基板的第一主面上形成底部显露出所述膜层一部分的凹部，所述第二基板的第二主面上还形成有用于容纳微电子器件的空腔； 使所述第二基板的第一主面与所述第一基板键合，以使所述空腔与所述第一基板形成气密性空腔，同时使所述凹部由所述膜层与周围环境气密性阻隔，所述膜层配置为根据所述凹部与周围环境的气压差发生凸起或凹陷变形，所述气密性空腔与密封后的所述凹部的气压相等。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海新微技术研发中心有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励