株式会社国际电气山角宥贵获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116329192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211520696.1，技术领域涉及：B08B7/00；该发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置是由山角宥贵;舟木克典;上田立志;坪田康寿;竹岛雄一郎;市村圭太;井川博登;岸本宗树设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质、衬底处理装置。能够通过对衬底进行等离子体处理使在反应容器的内表面上形成的沉积膜的除去变得容易。具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序：a向在内表面上形成有沉积膜的反应容器内供给含氧气体，并对含氧气体进行等离子体激发，从而使沉积膜氧化的工序；和b向反应容器内供给含氮气体，并对含氮气体进行等离子体激发，从而使沉积膜氮化的工序。
本发明授权清洁方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置在权利要求书中公布了：1.清洁方法，其具有通过将包括下述工序的循环执行规定次数，使沉积膜改性为包含氧化层及氮化层的膜的工序： a向在内表面上形成有沉积膜的反应容器内供给含氧气体，并对所述含氧气体进行等离子体激发，从而使所述沉积膜氧化的工序；和 b向所述反应容器内供给含氮气体，并对所述含氮气体进行等离子体激发，从而使所述沉积膜氮化的工序， 所述清洁方法还具有：c使所述反应容器内的温度由a及b中的所述反应容器的温度起进行降温而改性为包含热膨胀率不同的所述氧化层和所述氮化层的膜并使所述膜成为能够剥离的状态的工序。
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