厦门乾照光电股份有限公司杨克伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310214159.2，技术领域涉及：H10H20/821；该发明授权一种LED芯片及其制备方法是由杨克伟;曲晓东;赵斌;尤翠萍;陈凯轩;李敏华设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，通过提供一外延片，在外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并得到图形化的CB图案和裸露的部分P‑GaN层；在裸露的部分P‑GaN层上制备反射镜；形成阻挡层；在阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层；将完成制备键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除蓝宝石衬底；刻蚀去除蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁；沉积绝缘PV层，并对PV层进行图形化使部分N‑GaN层裸露；在PV层和裸露的部分N‑GaN层上制备N电极。以此实现在制备过程中对LED芯片发光角度的调节的目的。
本发明授权一种LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供一外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、N-GaN层、MQWs层和P-GaN层； 在所述外延片的表面沉积形成电荷平衡CB层，并进行图形化，得到图形化的CB图案和裸露的部分P-GaN层； 在所述裸露的部分P-GaN层上制备反射镜； 形成阻挡层，使所述阻挡层覆盖所述图形化的CB图案和所述反射镜； 在所述阻挡层和提供的键合衬底上制备键合层； 将完成制备所述键合层的外延片与键合衬底进行键合，并去除所述蓝宝石衬底； 刻蚀去除所述蓝宝石衬底的外延片，形成满足配光需求的外延层结构，所述外延层结构的边缘为具有预设倾斜角度的侧壁； 沉积绝缘PV层，使所述PV层覆盖所述外延层结构表面，并对所述PV层进行图形化，使部分N-GaN层裸露； 在所述PV层和裸露的部分N-GaN层上制备N电极。
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