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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310209529.3，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法是由吴先民;方雪冰;梁帅;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，双异质结氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层、材质为GaN的沟道层和材质为AlGaN的阻挡层，支撑层的材质为p‑GaN，沟道层的氮极性面朝上，且沟道层上方设置有栅电极和与沟道层形成欧姆接触的源电极及漏电极，栅电极与阻挡层之间形成肖特基接触，栅电极与源电极之间及栅电极与漏电极之间均形成有钝化层。本发明通过在栅电极与沟道层的氮极性面之间设置一层材质为AlGaN的阻挡层，阻挡层覆盖在沟道层上表面，使得载流子在氮化镓沟道层局域性更大，即具有更强的沟道效应抑制能力，降低晶体管的漏电；支撑层材质为p‑GaN，可以降低晶体管与地之间的漏电。

本发明授权双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双异质结氮极性面氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 在腔体内提供一层衬底； 在所述衬底上表面依次形成自下而上层叠设置的缓冲层、超晶格层和合并层； 在所述合并层上表面依次形成自下而上层叠设置的阻挡层、沟道层和势垒层、支撑层、键合层和衬底层，获得初始晶体，其中，所述阻挡层的材质为AlGaN，所述支撑层的材质为p-GaN，所述势垒层的材质为AlGaN，所述键合层的材质为SnIn； 将所述初始晶体上下倒置，以使所述衬底处于所述初始晶体的顶部； 剥离所述衬底； 刻蚀所述缓冲层、超晶格层和合并层； 在所述阻挡层上表面沉积形成钝化层； 在所述钝化层上表面形成欧姆接触区，刻蚀所述欧姆接触区处的所述阻挡层和所述钝化层，并在所述欧姆接触区内制作漏电极和源电极； 在所述钝化层上表面形成肖特基接触区，刻蚀所述肖特基接触区处的所述钝化层，并在所述肖特基接触区内制作栅电极，其中，所述栅电极设置在所述阻挡层中间，且所述沟道层靠近所述栅电极的一面为氮极性面； 所述在所述衬底上表面依次形成自下而上层叠设置的缓冲层、超晶格层和合并层的步骤包括： 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述衬底上表面沉积AlN以形成所述缓冲层； 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述缓冲层上表面沉积多个周期的AlGaN层和GaN层，获得所述超晶格层，其中，将在所述缓冲层上表面依次沉积一层AlGaN层和一层GaN层定义为一个所述周期； 通过金属有机化学气相沉积工艺在所述超晶格层上表面沉积GaN以形成所述合并层。

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