中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司黄春梅获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160393.1，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法是由黄春梅设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法，通过提供键合晶圆对，键合晶圆对包括彼此键合的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有朝向第二晶圆的键合面和远离第二晶圆的背面，第一晶圆的背面上形成有第一金属层；执行氧化工艺，以使第一金属层的表层被氧化成金属氧化层；将键合晶圆对安置在解键合机台上，金属氧化层与解键合机台的载台接触，在加热的条件下利用解键合机台对键合晶圆对进行解键合；如此，避免了解键合印记的产生，保证了第一晶圆的背面材料一致、表面颜色均一；并且本申请实施例提供的方案对封装几乎无影响，符合封装需求。
本发明授权避免解键合印记的方法及功率器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种避免解键合印记的方法，其特征在于，所述方法包括： 提供键合晶圆对，所述键合晶圆对包括彼此键合的第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有朝向所述第二晶圆的键合面和远离所述第二晶圆的背面，所述第一晶圆的所述背面上形成有第一金属层； 执行氧化工艺，以使所述第一金属层的表层被氧化成金属氧化层； 将所述键合晶圆对安置在解键合机台上，所述金属氧化层与所述解键合机台的载台接触，在加热的条件下利用所述解键合机台对所述键合晶圆对进行解键合； 在利用所述解键合机台对所述键合晶圆对进行解键合后，所述方法还包括： 在所述金属氧化层上形成焊料层； 在加热条件下，使所述第一金属层和所述焊料层穿过所述金属氧化层而融合。
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