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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116299080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310075527.X，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元是由何国强;丁振宇设计研发完成，并于2023-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元，包括：第一层金属贴片、与第一层金属贴片相贴设置的第一介质基板、与第一介质基板相贴设置的第二层金属地、与第二层金属地相贴设置的第二介质基板、与第二介质基板相贴设置的第三层金属贴片；第一层金属贴片包括第一传感横臂与第二传感横臂，其中第一传感横臂与第二传感横臂相互平行且间隔设置，第一传感横臂与第二传感横臂之间形成一条亚波长狭缝；第三层金属贴片包括微带馈线与谐振结构，且第三层金属贴片为对称结构。根据本发明，具有良好的动态范围和较低损耗，具有对称的结构可以有效抑制高阶谐波带来的影响实现宽频谱的工作。

本发明授权一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元在权利要求书中公布了：1.一种具有高阶谐波抑制的磁谐振近场超分辨率传感单元，其特征在于，包括： 第一层金属贴片110、与第一层金属贴片110相贴设置的第一介质基板410、与第一介质基板410相贴设置的第二层金属地211、与第二层金属地211相贴设置的第二介质基板510、与第二介质基板510相贴设置的第三层金属贴片； 第一介质基板410与第二介质基板510上开设有第一金属化通孔611、第二金属化通孔612、第三金属化通孔613及第四金属化通孔614； 第一层金属贴片110包括第一传感横臂111与第二传感横臂112，其中第一传感横臂111与第二传感横臂112相互平行且间隔设置，第一传感横臂111与第二传感横臂112之间形成一条亚波长狭缝构成近场传感的亚波长孔径； 第三层金属贴片包括微带馈线310与谐振结构320，且第三层金属贴片为对称结构； 谐振结构320为一环形结构，谐振结构320包括V型耦合结构321及与V型耦合结构321一体式连接的金属带线322，V型耦合结构321与V型馈线312相匹配；V型耦合结构321、金属带线322、第一金属化通孔611、第三金属化通孔613及第一传感横臂111形成金属环形磁谐振结构710。

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