无锡华润上华科技有限公司何乃龙获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利可控硅整流器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539758.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权可控硅整流器及其制备方法是由何乃龙;石永昱;姚玉恒设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本可控硅整流器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可控硅整流器及其制备方法。其中，可控硅整流器的第一阱区和第二阱区中分别加设了第一低阻区和第二低阻区。因第一低阻区和第二低阻区的阻值较低，故第一阱区和第二阱区的整体电阻均下降，从而使得器件的导通电压降低，提高可控硅整流器的泄放电流的能力。并且，第一低阻区设置于第一掺杂区的下方，第二低阻区设置于第四掺杂区的下方。所以，第一低阻区不影响由第二掺杂区、第一阱区和第二阱区所形成的晶体管的导通；第二低阻区不影响由第一阱区、第二阱区和第三掺杂区所形成的晶体管的导通。因此，本发明提供的可控硅整流器及其制备方法能够实现在降低可控硅整流器的导通电压的同时不影响可控硅整流器的响应速度。
本发明授权可控硅整流器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可控硅整流器，其特征在于，包括： 基底结构； 第一阱区，位于所述基底结构中，所述第一阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区； 第二阱区，位于所述基底结构中，所述第二阱区包括第三掺杂区和第四掺杂区； 第一低阻区，位于所述第一阱区中，所述第一低阻区设置于所述第一掺杂区的下方，且远离所述第二掺杂区； 第二低阻区，位于所述第二阱区中，所述第二低阻区设置于所述第四掺杂区的下方，且远离所述第三掺杂区； 隔离结构，位于所述基底结构表面上，所述隔离结构中设有若干个导电互连结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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