无锡华润上华科技有限公司贺腾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利沟槽隔离结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111516629.8，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权沟槽隔离结构的制造方法是由贺腾飞;黄仁瑞;刘群;林军设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽隔离结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明一种沟槽隔离结构的制造方法，包括：在晶圆的第一面通过光刻及刻蚀形成沟槽；向所述沟槽中填充绝缘隔离材料；在所述晶圆的第一面涂覆光刻胶，通过曝光和显影使残留的光刻胶与所述晶圆的第一面形成倾角，所述倾角的角度为50～60度，所述残留的光刻胶从有源区上延伸至沟槽中的绝缘隔离材料的顶面；以所述残留的光刻胶为刻蚀阻挡层，干法刻蚀所述绝缘隔离材料，在所述绝缘隔离材料表面形成凹陷；去除所述残留的光刻胶，并通过湿法腐蚀去除所述沟槽外多余的绝缘隔离材料。本发明通过形成特殊的光刻胶形貌来干法刻蚀绝缘隔离材料，可以改善绝缘隔离材料表面的形貌，结合湿法腐蚀工艺可以获得较为平整的绝缘隔离材料表面形貌。
本发明授权沟槽隔离结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽隔离结构的制造方法，包括： 在晶圆的第一面通过光刻及刻蚀形成沟槽； 向所述沟槽中填充绝缘隔离材料； 在所述晶圆的第一面涂覆光刻胶，通过曝光和显影使残留的光刻胶与所述晶圆的第一面形成倾角，所述倾角的角度为50～60度，所述残留的光刻胶从有源区上延伸至沟槽中的绝缘隔离材料的顶面，曝光区域的边缘与所述有源区的边缘的横向距离为 以所述残留的光刻胶为刻蚀阻挡层，干法刻蚀所述绝缘隔离材料，在所述绝缘隔离材料表面形成凹陷，所述凹陷的开口面积占所述沟槽的开口面积45％～65％； 去除所述残留的光刻胶，并通过湿法腐蚀去除所述沟槽外多余的绝缘隔离材料。
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