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龙图腾网获悉东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所申请的专利一种低功耗的高速电平移位电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116232309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051640.6，技术领域涉及：H03K19/0175；该发明授权一种低功耗的高速电平移位电路是由孙伟锋;袁清;谢宇;郑逸飞;李泳佳;时龙兴设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗的高速电平移位电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种低功耗的高速电平移位电路，包括低压‑高压的电平移位模块、辅助锁存模块、自适应窄脉冲产生模块和辅助上拉模块；低压‑高压的电平移位模块包括低压‑高压电平移位电路和信号处理电路；辅助上拉模块包括两路分别设于低压‑高压电平移位电路高侧两个输出S、R点处的辅助上拉电路；辅助上拉电路包括反相器、与非门和PMOS管；辅助锁存模块包括辅助锁存电路，用于产生两个信号控制信号A和B，连接到两路辅助上拉电路，控制两个PMOS管仅在该管所辅助的支路输出点电位由低向高翻转时提供一个额外的上拉电流。本发明在保证足够的抗dVdt能力的基础上，能够有效地降低电平移位电路的功耗和延时，实现驱动电路的高频工作，保证电源系统的高效性。

本发明授权一种低功耗的高速电平移位电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗的高速电平移位电路，其特征在于，包括低压-高压的电平移位模块、辅助锁存模块、自适应窄脉冲产生模块和辅助上拉模块；低压-高压的电平移位模块包括低压-高压电平移位电路和信号处理电路；辅助上拉模块包括两路分别设置于低压-高压电平移位电路高侧两个输出S、R点处的辅助上拉电路；辅助上拉电路包括反相器、与非门和PMOS管；辅助锁存模块包括辅助锁存电路，用于产生两个控制信号A和B，连接到两路辅助上拉电路，控制两个上拉PMOS管仅在该管所辅助的支路输出点电位由低向高翻转时提供一个额外的上拉电流； 所述低压-高压电平移位电路包括高压NMOS管HMN1、高压NMOS管HMN2、高压PMOS管HMP1、高压PMOS管HMP2、PMOS管MP1、PMOS管MP2、反相器INV1，连接关系为：高压NMOS管HMN1的栅极连接输入信号IN和反相器INV1的输入端，高压NMOS管HMN1的源极连接低压域电源轨的地信号VSSL，高压NMOS管HMN1的漏极连接高压PMOS管HMP1的漏极，高压NMOS管HMN2的栅极连接反相器INV1的输出端，高压NMOS管HMN2的源极连接低压域电源轨的地信号VSSL，高压NMOS管HMN2的漏极连接高压PMOS管HMP2的漏极，高压PMOS管HMP1的栅极连接高压域电源轨的地信号VSSH、电阻R2的一端、NMOS管MN1的源极、NMOS管MN2的源极和高压PMOS管HMP2的栅极，高压PMOS管HPM1的源极连接PMOS管MP3的栅极、PMOS管MN1的漏极、PMOS管MP2的栅极、电阻R1的一端、PMOS管MP5的漏极和反相器INV9的输入端，高压PMOS管HMP2的栅极连接高压域电源轨的地信号VSSH、电阻R2的一端、NMOS管MN2的源极、NMOS管MN1的源极和高压PMOS管HMP1的栅极，高压PMOS管HMP2的源极连接PMOS管MP4的栅极、PMOS管MN2的漏极、PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP5的漏极和反相器INV8的输入端，PMOS管MP1的栅极连接PMOS管MP2的漏极、反相器INV8的输入端、PMOS管MP4的栅极、PMOS管MP6的漏极和高压PMOS管HMP2的源极，PMOS管MP1的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP1的漏极连接电阻R1的一端、PMOS管MP5的漏极、PMOS管MP3的栅极、高压PMOS管HMP1的源极、反相器INV9的输入端和PMOS管MP2的栅极，PMOS管MP2的栅极连接PMOS管MP1的漏极、反相器INV9的输入端、PMOS管MP3的栅极、PMOS管MP5的漏极、电阻R1的一端和高压PMOS管HMP1的源极，PMOS管MP2的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP2的漏极连接PMOS管MP6的漏极、PMOS管MP4的栅极、高压PMOS管HMP2的源极、反相器INV8的输入端和PMOS管MP1的栅极，反相器INV1的输入端连接输入信号IN和高压NMOS管HMN1的源极，反相器INV1的输出端连接高压NMOS管HMN2的源极，反相器INV1的电源端和地端分别连接低压域电源轨的电源信号VDDL和地信号VSSL； 所述信号处理电路包括反相器INV8、反相器INV9和RS触发器，连接关系为：反相器INV8的输入端连接PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP2的漏极、PMOS、管MP6的漏极、PMOS管MP4的栅极和高压PMOS管HMP2的源极，反相器INV8的输出端连接RS触发器的R端，反相器INV9的输入端连接PMOS管MP2的栅极、PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP5的漏极、电阻R1的一端、PMOS管MP3的栅极和高压PMOS管HMP2的源极，反相器INV9的输出端连接RS触发器的S端，RS触发器的输出端连接输出OUT； S点处辅助上拉电路包括反相器INV2、反相器INV3、反相器INV4、与非门NAND1和PMOS管MP5，连接关系为：反相器INV2的输入端连接PMOS管MP4的漏极、NMOS管MN2的漏极和NMOS管MN1的栅极，反相器INV2的输出端连接反相器INV3的输入端，反相器INV3的输出端连接反相器INV4的输入端，反相器INV4的输出端连接与非门NAND1的一个输入端，与非门NAND1的另一个输入端连接PMOS管MP8的漏极和电阻R5的一端，与非门NAND1的输出端连接PMOS管MP5的栅极，PMOS管MP5的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP5的漏极连接PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP2的栅极、电阻R1的一端、高压PMOS管HMP1的源极、PMOS管MP3的栅极和反相器INV9的输入端，反相器INV2、INV3、INV4的电源端和地端分别连接高压域电源轨的电源信号VDDH和浮动地信号VSSH；R点处辅助上拉电路包括反相器INV5、反相器INV6、反相器INV7、与非门NAND2和PMOS管MP6，连接关系为：反相器INV5的输入端连接PMOS管MP3的漏极、NMOS管MN1的漏极、NMOS管MN2的栅极和电阻R2的另一端，反相器INV5的输出端连接反相器INV6的输入端，反相器INV6的输出端连接反相器INV7的输入端，反相器INV7的输出端连接与非门NAND2的一个输入端，与非门NAND2的另一个输入端连接PMOS管MP8的漏极和电阻R5的一端，与非门NAND2的输出端连接PMOS管MP6的栅极，PMOS管MP6的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP6的漏极连接PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP1的栅极、高压PMOS管HMP2的源极、PMOS管MP4的栅极和反相器INV8的输入端，反相器INV2、INV3、INV4的电源端和地端分别连接高压域电源轨的电源信号VDDH和浮动地信号VSSH； 所述辅助锁存电路包括PMOS管MP3、PMOS管MP4、NMOS管MN1和NMOS管MN2；NMOS管MN1的源极连接高压域电源轨的地信号VSSH、电阻R2的一端、NMOS管MN2的源极、高压PMOS管HMP1的栅极和高压PMOS管HMP2的栅极，NMOS管MN1的栅极连接PMOS管MP4的漏极和NMOS管MN2的漏极，NMOS管MN1的漏极连接PMOS管MP3的漏极、电阻R2的另一端和NMOS管MN2的栅极，NMOS管MN2的源极连接高压域电源轨的地信号VSSH、电阻R2的一端、NMOS管MN1的源极、高压PMOS管HMP2的栅极和高压PMOS管HMP1的栅极，NMOS管MN2的栅极连接PMOS管MP3的漏极、电阻R2的另一端和NMOS管MN1的漏极，NMOS管MN2的漏极连接PMOS管MP4的漏极和NMOS管MN1的栅极，PMOS管MP3的漏极连接NMOS管MN1的漏极、电阻R2的另一端和NMOS管MN2的栅极，PMOS管MP3的栅极连接高压PMOS管HMP1的源极、PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP2的栅极、电阻R1的一端、PMOS管MP5的漏极和反相器INV9的输入端，PMOS管MP3的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP4的漏极连接NMOS管MN2的漏极和NMOS管MN1的栅极，PMOS管MP4的栅极连接高压PMOS管HMP2的源极、PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP6的漏极和反相器INV8的输入端，PMOS管MP3的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH； 所述自适应窄脉冲产生模块由自适应窄脉冲产生电路构成，包括PMOS管MP7、PMOS管MP8和电阻R5；连接关系为：PMOS管MP7的栅极连接PMOS管MP4的栅极、高压PMOS管HMP2的源极、PMOS管MP2的漏极、PMOS管MP1的栅极、PMOS管MP6的漏极和反相器INV8的输入端，PMOS管MP7的源极连接高压域电源轨的电源信号VDDH，PMOS管MP7的漏极连接PMOS管MP8的源极，PMOS管MP8的栅极连接PMOS管MP3的栅极、高压PMOS管HMP1的源极、PMOS管MP1的漏极、PMOS管MP2的栅极、PMOS管MP5的漏极、电阻R1的一端和反相器INV9的输入端，PMOS管MP8的源极连接PMOS管MP7的漏极，PMOS管MP8的漏极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接高压域电源轨的地信号VSSH。

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