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龙图腾网获悉杭州迈巨微电子有限公司申请的专利集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310008756.X，技术领域涉及：H10W40/22；该发明授权集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统在说明书摘要公布了：本公开提供一种集成MOS晶体管封装结构和电池管理系统。该集成MOS晶体管封装结构，包括：N个MOS晶体管，N个MOS晶体管分别包括栅极、漏极和源极，其中N＞1；封装载体，封装载体设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚，述N个MOS晶体管的各个栅极通过打线方式连接至栅极管脚，N个MOS晶体管的各个源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至源极管脚；以及印刷电路板，印刷电路板设置有覆铜区，覆铜区与N个MOS晶体管的漏极连接，其中，覆铜区的数量为一个或两个以上，每个覆铜区与n个MOS晶体管的漏极连接，以使得n个MOS晶体管的漏极通过相应的覆铜区进行连接，其中1≤n≤N，其中，印刷电路板设置在封装载体内并且用于设置N个MOS晶体管。

本发明授权集成MOS晶体管封装结构及电池管理系统在权利要求书中公布了：1.一种集成MOS晶体管封装结构，其特征在于，包括： N个MOS晶体管，所述N个MOS晶体管分别包括栅极、漏极和源极，其中N＞1； 封装载体，所述封装载体设置有栅极管脚、源极管脚和漏极管脚，所述N个MOS晶体管的各个栅极通过打线方式连接至所述栅极管脚，所述N个MOS晶体管的各个源极通过打线方式、铜条带方式或铜片方式连接至源极管脚；以及 印刷电路板，所述印刷电路板设置有覆铜区，所述覆铜区与N个MOS晶体管的漏极连接，其中，所述覆铜区的数量为一个或两个以上，每个覆铜区与n个MOS晶体管的漏极连接，以使得n个MOS晶体管的漏极通过相应的覆铜区进行连接，其中1≤n≤N， 其中，所述印刷电路板设置在所述封装载体内并且用于设置所述N个MOS晶体管； 所述n个MOS晶体管与两个以上的子覆铜区连接，并且两个以上的子覆铜区通过印刷导线连接，以便将所述n个MOS晶体管的漏极连接； N个MOS晶体管分为N2个充电MOS晶体管和N2个放电MOS晶体管，N2个充电MOS晶体管的漏极与N2个放电MOS晶体管的漏极连接并且连接至漏极管脚，并且N2个充电MOS晶体管的源极互连后连接至第一源极管脚或者分别连接至第一源极管脚，N2个放电MOS晶体管的源极互连后连接至第二源极管脚或者分别连接至第二源极管脚，N2个充电MOS晶体管的栅极互连后连接至充电栅极管脚或者分别连接至充电栅极管脚，N2个放电MOS晶体管的栅极互连后连接至放电栅极管脚或者分别连接至充电栅极管脚。

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