中国电子科技集团公司第十三研究所王波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116219394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310121963.6，技术领域涉及：H10P95/00；该发明授权一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法是由王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体衬底材料制备技术领域，提供了一种GaNHEMT上降低Fe拖尾的方法，该GaNHEMT上降低Fe拖尾的方法包括：将衬底置入MOCVD设备的反应室；在衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层；在高温条件下，在第一GaN层上生长AlN层；在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层。本申请在高温条件下生长AlN层，利用AlN层的晶格常数较小的特点，增加后续生长非故意掺杂的GaN层的压应力，阻止Fe通过分凝现象向非故意掺杂的GaN层中掺入，进而有效地改善Fe拖尾的问题。
本发明授权一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT上降低Fe拖尾的方法，其特征在于，包括： 将衬底置入MOCVD设备的反应室； 在所述衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层； 在高温条件下，在第一GaN层上生长AlN层； 在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层； 在所述衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层时，所述反应室的温度为1150℃、压力为200mbar； 在第一GaN层上生长AlN层时，所述反应室的温度为1180℃、压力为50mbar； 在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层时，所述反应室的温度为1060℃； 所述AlN层用于增加第二GaN层的压应力，以使第二GaN层的晶格常数变小，阻止Fe通过分凝现象向第二GaN层中掺入； 所述在所述衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层包括：向所述反应室内通入Ga源、氨气以及Fe源；其中，通入氨气的流量为10000sccm； 在第一GaN层上生长AlN层包括：向所述反应室内通入氨气和Al源；其中，通入氨气的流量为500sccm。
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