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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种光学元件表面的微纳结构制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116216627B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111477696.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种光学元件表面的微纳结构制造方法是由吕起鹏;滕飞;李刚;金玉奇设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光学元件表面的微纳结构制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微纳结构制造的方法，通过对传统反应离子束刻蚀技术的改进，首先利用胶体球自组装技术在元件表面上制备成周期结构的纳米球阵列，接着利用宽束离子源刻蚀胶体球，并控制工作气体压强、温度、时间、刻蚀功率等工艺条件，调整胶体球间的占空比。然后利用薄膜的低温沉积法在胶体球缝隙间镀入薄膜掩膜，接着利用配比溶液将胶体球去除掉。最后利用宽束离子源刻蚀元件，将薄膜掩膜的图案转移到元件上，最终得到微纳结构元件。本发明可以为高功率激光窗口的实验研究或工业生产提供样品。

本发明授权一种光学元件表面的微纳结构制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光学元件表面的微纳结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1基底清洗：将基底放置于水中用超声波清洗1-40分钟； 2胶体球自组装：配比粒径10纳米-100微米胶体球溶液，在基底上进行胶体球自组装，于基底表面形成单层胶体球层； 3胶体球刻蚀：取出胶体球自组装后的基底并进行干燥，根据微纳结构的特征尺寸，通过离子束对胶体球进行刻蚀，调控胶体球大小为刻蚀前粒径的10-90%； 4镀制掩膜板：在胶体球缝隙间镀制薄膜掩膜； 5胶体球去除：采用超声波洗掉胶体球，干燥； 6结构刻蚀：通过离子束对带有掩膜板的基底表面进行刻蚀，将结构转移到基底，最终得到目标微纳结构； 刻蚀基底所采用的离子源为宽束离子源； 宽束离子源的材料去除均匀性优于5‰； 刻蚀气体是O2、Ar、Kr气体中的一种或二种以上； 步骤3的离子束参数，束流为10-500mA，束压为10-500V；步骤6的离子束参数，束流为350-5000mA，束压为350-5000V； 基底材料采用石英、硅、宝石、微晶玻璃、金属导体或半导体材料中的一种或二种以上； 胶体球为聚苯乙烯、SiO2、Al2O3材料中的一种或二种以上； 薄膜掩膜为Ti、Cr、Al2O3材料中的一种或二种以上，掩膜的厚度为刻蚀后胶体球粒径的5-60%； 薄膜掩膜的沉积温度为室温-100℃； 所述基底表面面积为100mm2-50m2； 所述基底的形状是圆形、方形、异形中的一种或二种以上组合。

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