厦门乾照光电股份有限公司艾国齐获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利Micro-LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310052332.3，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权Micro-LED芯片及其制备方法是由艾国齐;蔡玉梅;江方;林志伟;柯志杰;崔恒平设计研发完成，并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本Micro-LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Micro‑LED芯片及其制备方法，通过在衬底上生长绝缘层并进行光刻，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构，在柱状结构和沟槽上生长外延层，使外延层的侧面形成倒角，研磨抛光柱状结构，直至柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平，去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层，基于具有隔离槽的外延层完成芯片制备。通过形成并利用柱状结构的倾斜度使外延层的侧面形成倒角，无需对外延层进行干法刻蚀，避免外延层侧壁产生损伤，进而提高了基于具有隔离槽的外延层制备的Micro‑LED芯片的发光效率；同时，外延层的侧面形成有倒角，有效提升了Micro‑LED芯片的侧壁的出光亮度。
本发明授权Micro-LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底； 在所述衬底上生长绝缘层； 光刻所述绝缘层，形成多个沟槽和具有一定倾角的柱状结构； 在所述柱状结构和沟槽上生长外延层，使所述外延层的侧面形成倒角； 研磨抛光所述柱状结构，直至所述柱状结构表面与沟槽内的外延层齐平； 去除剩余的柱状结构，得到具有隔离槽的外延层； 基于所述具有隔离槽的外延层完成芯片制备。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门乾照光电股份有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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