中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种环栅晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310076902.2，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种环栅晶体管及其制造方法是由李永亮;张佳熠;罗军;王文武设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种环栅晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得环栅晶体管具有非对称的开关电流，满足相应应用场景的工作要求。所述环栅晶体管包括：第一有源区、第二有源区、沟道和栅堆叠结构。沟道位于第一有源区和第二有源区之间、且分别与第一有源区和第二有源区接触。栅堆叠结构环绕在沟道的外周。其中，沟道包括至少一个第一纳米结构。沿第一有源区至第二有源区的方向，每个第一纳米结构被栅堆叠结构覆盖的部分均具有第一区域和第二区域。同一第一纳米结构中，第一区域的宽度和厚度分别小于第二区域的宽度和厚度。
本发明授权一种环栅晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括：第一有源区、第二有源区、沟道和栅堆叠结构；所述沟道位于所述第一有源区和所述第二有源区之间、且分别与所述第一有源区和所述第二有源区接触；所述栅堆叠结构环绕在所述沟道的外周；其中， 所述沟道包括至少一个第一纳米结构；沿所述第一有源区至所述第二有源区的方向，每个所述第一纳米结构被所述栅堆叠结构覆盖的部分均具有第一区域和第二区域；同一所述第一纳米结构中，所述第一区域的宽度和厚度分别小于所述第二区域的宽度和厚度；所述第一纳米结构沿所述栅堆叠结构的长度方向一体连续； 所述沟道还包括至少一个第二纳米结构；所述至少一个第二纳米结构与所述至少一个第一纳米结构间隔设置；所述至少一个第二纳米结构的材料不同于所述至少一个第一纳米结构的材料；沿所述栅堆叠结构的长度方向，每个所述第二纳米结构各区域的宽度相同、且每个所述第二纳米结构各区域的厚度相同。
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