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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111404911.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法是由朱文明;李春旭;黄宇;林峰设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，所述方法包括：获取衬底；在衬底上形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层包括依次叠设的第一氧化层、第一氮化层及第二氧化层；形成金属硅化物；在衬底和金属硅化物阻挡层上形成第三氧化层；在第三氧化层上形成停止层；进行第一刻蚀，停止层作为接触孔和悬空孔在第一刻蚀时的刻蚀阻挡层，第一刻蚀完成后接触孔底部和悬空孔底部停止在停止层；进行第二刻蚀，使得接触孔底部和悬空孔底部的第三氧化层和剩余的停止层被去除；进行第三刻蚀，接触孔底部停止在金属硅化物、悬空孔底部停止在第一氮化层。本发明可以获得较佳的悬停稳定性。

本发明授权横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，包括： 获取衬底，所述衬底中形成有漂移区，在所述衬底上形成有栅极结构； 在所述衬底上形成金属硅化物阻挡层；所述金属硅化物阻挡层包括依次叠设的第一氧化层、第一氮化层及第二氧化层； 在衬底上表面未覆盖所述金属硅化物阻挡层的位置、和栅极结构上表面未覆盖所述金属硅化物阻挡层的位置形成金属硅化物； 在所述衬底和所述金属硅化物阻挡层上形成第三氧化层； 在所述第三氧化层上形成停止层； 进行第一刻蚀，所述停止层作为接触孔和悬空孔在第一刻蚀时的刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀完成后接触孔底部和悬空孔底部停止在所述停止层，所述悬空孔的正下方为所述漂移区； 进行第二刻蚀，所述第二刻蚀使得所述接触孔底部和悬空孔底部的所述第三氧化层和剩余的停止层被去除； 进行第三刻蚀，所述第三刻蚀完成后，所述接触孔底部停止在所述金属硅化物、所述悬空孔底部停止在所述第一氮化层； 所述停止层包括第一氮氧化物层和第二氮化层，所述在所述第三氧化层上形成停止层的步骤包括： 在所述第三氧化层上形成第一氮氧化物层； 在所述第一氮氧化物层上形成第二氮化层，所述第二氮化层的厚度为300埃～400埃。

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