派赛公司阿尔佩尔·根茨获国家专利权
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龙图腾网获悉派赛公司申请的专利开关FET体电流管理装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180062403.7，技术领域涉及：H03K17/10；该发明授权开关FET体电流管理装置和方法是由阿尔佩尔·根茨;埃里克·S·夏皮罗设计研发完成，并于2021-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本开关FET体电流管理装置和方法在说明书摘要公布了：公开了减少RF开关堆叠中的栅极感应漏极泄漏电流的方法和设备。描述的设备利用多个放电路径和或负得少的体偏置电压，而不损害功率开关的非线性性能和功率处理能力。此外，具有较小空间量的更紧凑的偏置电压产生电路可以被实现为所公开的设备的一部分。
本发明授权开关FET体电流管理装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管FET开关堆叠，包括： 串联连接的FET，所述串联连接的FET在一端耦接至第一端子，并且在另一端耦接至第二端子；所述第一端子被配置成接收输入射频RF信号； 体电阻阶梯，所述体电阻阶梯耦接至所述第一端子，所述体电阻阶梯包括串联连接的多个体电阻器，每个体电阻器耦接在所述串联连接的FET中的对应的相邻FET的体端子两端； 第一二极管堆叠，所述第一二极管堆叠包括一个或更多个二极管，所述二极管堆叠具有连接至所述第一端子的第一阴极端子和连接至所述串联连接的FET中的第一FET的体端子的第一阳极端子， 其中，所述FET开关堆叠被配置为，当所述FET开关堆叠处于关断状态时，所述第一二极管堆叠的第一阳极端子和所述第一FET的体端子处于不同的电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人派赛公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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