中国电子科技集团公司第十三研究所蔚翠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310121971.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法是由蔚翠;周闯杰;何泽召;郭建超;马孟宇;余浩;刘庆彬;杨玉章;冯志红设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法，该金属氧化物终端金刚石场效应管晶体管包括：金刚石衬底；源极和漏极，分别设置于金刚石衬底上表面的两侧；金属氧化物终端，设置于金刚石衬底上表面，且位于源极和漏极之间；栅介质层，设置于金属氧化物终端上表面；栅极，设置于栅介质层上表面。本申请金属氧化物终端与栅介质之间晶格匹配，能够有效降低界面态密度，提高金属氧化物终端上表面沉积的栅介质的质量，进而使金属氧化物终端金刚石具备高载流子迁移率，使金属氧化物终端金刚石场效应晶体管具备良好的直流和射频性能。
本发明授权金属氧化物终端金刚石场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物终端金刚石场效应晶体管，其特征在于，包括： 金刚石衬底； 源极和漏极，分别设置于所述金刚石衬底上表面的两侧； 金属氧化物终端，直接设置于所述金刚石衬底上表面，且位于所述源极和漏极之间；其中，在所述金刚石衬底上表面光刻台面区，在所述台面区直接沉积金属或金属氧化物，并对样品进行第二退火处理，以使金属或金属氧化物直接与对应区域的金刚石衬底上表面反应，形成金属氧化物终端；所述金属为钛、铝、铜、镍或锌；所述金属氧化物为钛氧化物、铝氧化物、铜氧化物、镍氧化物或锌氧化物；所述金属或金属氧化物的厚度为0.1~2nm；所述第二退火处理中，退火条件为氧气、臭氧或混合气体气氛； 栅介质层，设置于所述金属氧化物终端上表面；所述金属氧化物终端与所述栅介质层之间晶格匹配； 栅极，设置于所述栅介质层上表面。
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