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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于阈值电压调控的多异质结GaN HEMT制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072544B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211557992.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于阈值电压调控的多异质结GaN HEMT制备方法是由杨凌;于谦;张濛;武玫;邹旭;时春州设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于阈值电压调控的多异质结GaN HEMT制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阈值电压调控的多异质结GaNHEMT制备方法，包括：在SiC衬底上生长GaN缓冲层及多个周期性排列的、包括GaN沟道层和InAlN势垒层的沟道势垒结构；在表面制备源漏极并在侧面实现器件有源区隔离；在表面沉积钝化层并对栅极位置开孔刻蚀；在栅极位置的开孔处向下刻蚀沟道势垒结构，直至刻蚀周期数使阈值电压调控至预设要求得到凹槽；在凹槽内完成栅极制备得到阈值电压调控后的多异质结GaNHEMT。本发明通过GaN沟道层和InAlN势垒层的厚度设计或附加InAlN势垒层的掺杂浓度设计，并结合沟道势垒结构中各材料的刻蚀配方设计，使刻蚀深度与阈值电压呈现线性变化，能实现阈值电压精准调控。

本发明授权基于阈值电压调控的多异质结GaN HEMT制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阈值电压调控的多异质结GaNHEMT制备方法，其特征在于，包括： 在SiC衬底上依次生长GaN缓冲层及多个周期性排列的沟道势垒结构，得到Ga面GaNHEMT器件结构；其中，每个沟道势垒结构由GaN沟道层和之上的InAlN势垒层构成；多个沟道势垒结构采用第一结构参数或第二结构参数；所述第一结构参数中，GaN沟道层和InAlN势垒层的厚度分别为第一沟道厚度和第一势垒厚度；所述第二结构参数中，GaN沟道层和InAlN势垒层的厚度分别为第二沟道厚度和第二势垒厚度，且各InAlN势垒层经不同浓度的n型掺杂得到； 在器件结构表面制备源极和漏极，并在器件结构侧面实现器件有源区隔离； 在源极和漏极间的器件结构表面沉积钝化层，并针对栅极位置开孔刻蚀相应的钝化层； 根据预先确定的沟道势垒结构刻蚀周期数和阈值电压的线性关系，在所述栅极位置的开孔处向下刻蚀沟道势垒结构，直至刻蚀周期数使阈值电压调控至预设要求，得到纵向的凹槽；其中，针对每个周期的沟道势垒结构的刻蚀，InAlN势垒层采用仅对自身刻蚀有效的第一刻蚀配方实现刻蚀；GaN沟道层采用仅对自身刻蚀有效的第二刻蚀配方实现刻蚀；每一刻蚀配方包含刻蚀工艺相关的多个参数；所述线性关系基于多个沟道势垒结构采用的任一种结构参数和沟道势垒结构刻蚀采用的两种刻蚀配方经实验确定； 在所述凹槽内完成栅极制备，得到阈值电压调控后的多异质结GaNHEMT。

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