买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利调节栅极高度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211534026.5，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权调节栅极高度的方法是由张艳设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本调节栅极高度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种调节栅极高度的方法，提供半导体基底，在半导体基底上形成有多个伪栅结构，伪栅结构由叠层以及位于叠层侧壁的侧墙组成，之后在伪栅结构上形成刻蚀阻挡层，叠层由自下而上依次堆叠的伪栅多晶硅层、伪栅表面氧化层、伪栅硬掩膜氮化层和伪栅硬掩膜氧化层组成；在半导体基底上形成覆盖刻蚀阻挡层的层间介质层，之后研磨层间介质层至刻蚀阻挡层上方；研磨层间介质层至伪栅硬掩膜氮化层的上方，之后获取半导体基底不同区域上剩余伪栅结构的高度；根据半导体基底不同区域上剩余伪栅结构的高度，调节压力研磨使得每个伪栅多晶硅层的高度趋向于预设值。本发明能够使各栅极高度趋向一致，减少因部分位置栅极高度过高导致的缺陷。

本发明授权调节栅极高度的方法在权利要求书中公布了：1.一种调节栅极高度的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供半导体基底，在所述半导体基底上形成有多个伪栅结构，所述伪栅结构由叠层以及位于所述叠层侧壁的侧墙组成，之后在所述伪栅结构上形成刻蚀阻挡层，所述叠层由自下而上依次堆叠的伪栅多晶硅层、伪栅表面氧化层、伪栅硬掩膜氮化层和伪栅硬掩膜氧化层组成； 步骤二、在所述半导体基底上形成覆盖所述刻蚀阻挡层的层间介质层，之后研磨所述层间介质层至所述刻蚀阻挡层上方； 步骤三、研磨所述层间介质层及其下方的所述侧墙、所述刻蚀阻挡层、所述伪栅硬掩膜氧化层至所述伪栅硬掩膜氮化层的上方，之后获取所述半导体基底不同区域上剩余所述伪栅结构的高度；步骤四、根据所述半导体基底不同区域上剩余所述伪栅结构的高度，调节压力研磨所述伪栅硬掩膜氮化层、所述伪栅表面氧化层、所述刻蚀阻挡层、所述侧墙、所述层间介质层至所述伪栅多晶硅层，使得每个所述伪栅多晶硅层的高度趋向于预设值； 步骤二至步骤四中采用研磨垫研磨所述伪栅结构，所述研磨垫的面积小于所述半导体基底。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。