上海新微技术研发中心有限公司郭松获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微技术研发中心有限公司申请的专利吸气剂薄膜结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116022727B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111256809.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权吸气剂薄膜结构的制造方法是由郭松;王诗男;彭鑫林;冯刘昊东;陈朔;季宇成设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本吸气剂薄膜结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种吸气剂薄膜结构的制造方法，包括步骤：在基板的一个主面上方形成第一吸气剂薄层，在第一吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层；在沟槽内填充图形牺牲层，并在图形牺牲层及图形吸气剂薄膜上形成第二吸气剂薄层；去除图形牺牲层以在图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明通过在薄膜面内方向的空隙形成吸气剂薄膜的横向通道，可以有增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。该吸气剂薄膜结构可以具有足够的机械强度，使用性得到保证。对比普通吸气剂薄膜，本发明可以用较少的吸气剂达到同样的吸气效果，从而降低器件整体的成本。
本发明授权吸气剂薄膜结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种吸气剂薄膜结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括步骤： 提供一基板，在所述基板的一个主面上方形成第一吸气剂薄层，在所述第一吸气剂薄层中形成间隔排布的多个沟槽，以形成图形吸气剂薄层； 在所述沟槽内填充图形牺牲层，并在所述图形牺牲层及所述图形吸气剂薄层上形成顶层吸气剂薄层； 去除所述图形牺牲层以在所述图形吸气剂薄层的面内方向形成孔隙，所述孔隙在所述图形吸气剂薄层的侧面具有开口。
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