南京国兆光电科技有限公司陶最获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京国兆光电科技有限公司申请的专利一种显示器件像素电极结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211712428.X，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种显示器件像素电极结构的制备方法是由陶最;张阳;王新军;汪兵;杨建兵;秦昌兵设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种显示器件像素电极结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了显示器件像素电极结构的制备方法，包括：形成反射金属层；形成第一透明微腔层；形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区；生长第二透明微腔层，再去除第一牺牲层，形成图形化的第二透明微腔层；并以相同方法形成图形化的第三透明微腔层；在各个像素区形成阻挡层，其尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。本发明的制备方法能够使各像素区具备不同腔长微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。
本发明授权一种显示器件像素电极结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种显示器件像素电极结构的制备方法，其特征在于，包括： 具有OLED驱动电路的基底，所述基底包括对应不同颜色像素的第一像素区、第二像素区、第三像素区； 在基底上制备反射金属层和第一透明微腔层； 在第一透明微腔层上通过光刻的方法形成图形化的第一牺牲层，第一牺牲层阻挡住第一像素区、第三像素区，其开口尺寸小于第二像素区； 在第一牺牲层上生长第二透明微腔层，再通过剥离的方法去除第一牺牲层及其上的第二透明微腔层，形成图形化的第二透明微腔层； 以形成图形化的第二透明微腔层相同方法形成图形化的第三透明微腔层； 在各个像素区通过光刻的方法形成阻挡层，阻挡层的尺寸小于第二透明微腔层、第三透明微腔层，对透明微腔层和反射金属层进行刻蚀，形成图形化的第一透明微腔层和反射层，并同时对第二透明微腔层、第三透明微腔层边缘进行修饰。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京国兆光电科技有限公司，其通讯地址为：211116 江苏省南京市江宁区正方中路166号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励