湘潭大学钟向丽获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115995492B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211541779.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法与应用是由钟向丽;吴祎玮;王金斌;张衡;谭丛兵;何家怡;宋宏甲;刘莹赢设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。本发明提供的负电容场效应晶体管，通过将具有多级负电容效应的铁电薄膜材料作为栅介质层，不仅克服了传统负电容场效应晶体管只有在交变工作电压下才能工作的问题，还降低了极化翻转的势垒，进一步降低了晶体管的功耗。相比于同类器件而言，本发明具有低功耗、回滞小和工艺兼容度高的突出优势，在微电子器件领域具有重要的学术与应用价值。
本发明授权一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种单向电场用低功耗负电容场效应晶体管，其特征在于，包括衬底；在所述衬底上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的缓冲层、源极区和漏极区；在所述缓冲层上形成的栅介质层；在所述栅介质层上形成的栅电极；其中， 所述源极区和所述漏极区分别设于所述缓冲层的两侧，及在所述源极区和漏极区上分别形成源电极和漏电极； 所述栅介质层的材质为111-PbZr0.2Ti0.8O3，且具有多级负电容特性；及所述栅介质层在外电场作用下的自由能势阱曲线为多势阱曲线，其中电场强度的绝对值为104~108Vm，势阱数目为3个，势垒数目为2个，势垒高度为0.1J·cm-3；且所述栅介质层的厚度为1nm~1000nm；极化强度为0时，对应有一个势阱； 所述缓冲层至少为CoFe2O4、SrTiO3、PbTiO3、PbZrO3、HfO2中的一种，且所述缓冲层的厚度为1~200nm。
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