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龙图腾网获悉飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097742.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由彭定康;李浩南设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域，所述半导体基板表面包括外延层，所述外延层表面包括电流分散层；第一掺杂区，位于所述第一区域的电流分散层中；第二掺杂区，位于所述第一掺杂区中；第三掺杂区，位于所述电流分散层中且横跨所述第一区域和相邻的第二区域，所述第三掺杂区的一端连接至所述第一区域中的第二掺杂区，所述第三掺杂区的另一端延伸至所述第二区域中；电场缓冲区，位于所述第二区域的电流分散层中且位于相邻的第三掺杂区之间。本申请的技术方案可以避免功率MOSFET器件中二级劣化现象的出现，提高器件性能以及器件可靠性。

本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基板，所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域，所述半导体基板表面包括外延层，所述外延层表面包括电流分散层； 第一掺杂区，位于所述第一区域的电流分散层中，相邻第一区域中的第一掺杂区在y方向上交错排布； 第二掺杂区，位于所述第一掺杂区中； 第三掺杂区，位于所述电流分散层中且横跨所述第一区域和相邻的第二区域，所述第三掺杂区的一端连接至所述第一区域中的第二掺杂区，所述第三掺杂区的另一端延伸至所述第二区域中，所述第三掺杂区在y方向上交错排布； 电场缓冲区，位于所述第二区域的电流分散层中且位于相邻的第三掺杂区之间，所述电场缓冲区在所述第二区域的排布为沿y方向并列的两列排布，所述两列电场缓冲区分别位于所述第二区域相邻第一区域的两侧边界处； 所述第一掺杂区的掺杂类型和所述电流分散层的掺杂类型相反；所述第二掺杂区的掺杂类型和所述电流分散层的掺杂类型相同；所述第三掺杂区的掺杂类型和所述电流分散层的掺杂类型相反；所述电场缓冲区的掺杂类型和所述电流分散层的掺杂类型相同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人飞锃半导体(上海)有限公司;创能动力科技有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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