中国人民大学涂志俊获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国人民大学申请的专利一种Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料的单晶生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115948804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310006130.5，技术领域涉及：C30B29/46；该发明授权一种Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料的单晶生长方法是由涂志俊;雷和畅设计研发完成，并于2023-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料的单晶生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Bi‑O‑Se‑Cl四组分半导体材料的单晶生长方法。本发明Bi‑O‑Se‑Cl四组分半导体材料的化学式为Bi1010O1212SeCl44，晶体的每个原胞中含98个原子，具有两层[Bi1212O1212Se22Cl]、两层[Bi66O1010]和四层[3Cl]沿c轴交替堆叠的层状结构。其生长方法如下：将铋粉和硒粉进行研磨混料然后使其发生固相反应，得到硒化铋；将氧化铋，氯化铋和硒化铋进行研磨混料，得到混合粉料2放入石英管底部，抽真空后封口；将封好的石英管水平放入两温区炉，开始气相输运；两温区炉的热端和冷端分别经梯度升温并进行保温，结束后将两温区炉冷却，即得到Bi1010O1212SeCl44晶体。本发明Bi1010O1212SeCl44晶体具有复杂的层状结构，是本征低热导率的候选材料，其生长方法简单可靠。
本发明授权一种Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料的单晶生长方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料，其特征在于，该Bi-O-Se-Cl四组分半导体材料的化学式为Bi10O12SeCl4，为通过化学气相输运法生长的单晶，晶体的每个原胞中含98个原子，具有两层[Bi12O12Se2Cl]、两层[Bi6O10]和四层[3Cl]沿c轴交替堆叠的层状结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国人民大学，其通讯地址为：100872 北京市海淀区中关村大街59号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励