中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杨鹏飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110977444.0，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由杨鹏飞;李俊设计研发完成，并于2021-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底和鳍式结构；进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于鳍式结构相对侧壁上的第一伪栅层围成V型沟槽；深宽比调整处理包括：在露出的鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于鳍式结构相对侧壁上的伪栅膜之间具有间隙；对伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的伪栅膜转化为氧化层；去除氧化层；在第一伪栅层上形成填充V型沟槽的第二伪栅层，第二伪栅层与第一伪栅层构成伪栅结构，伪栅结构横跨鳍式结构。本发明实施例通过改变调整伪栅膜深宽比的方法，提高了伪栅结构在相邻鳍式结构之间的填充性能、以及伪栅结构的成膜质量。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括衬底以及位于所述衬底上多个分立的鳍式结构，所述鳍式结构用于提供沟道； 进行一次或多次的深宽比调整处理，在露出的所述鳍式结构的顶部和侧壁上形成第一伪栅层，位于所述鳍式结构相对侧壁上的所述第一伪栅层围成V型沟槽；所述深宽比调整处理包括：在露出的所述鳍式结构的顶部和侧壁上形成伪栅膜，位于所述鳍式结构相对侧壁上的所述伪栅膜之间具有间隙；对所述伪栅膜进行氧化处理，适于将部分厚度的所述伪栅膜转化为氧化层；去除所述氧化层； 在所述第一伪栅层上形成填充所述V型沟槽的第二伪栅层，所述第二伪栅层与所述第一伪栅层构成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍式结构。
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