苏州立琻半导体有限公司金明姬获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州立琻半导体有限公司申请的专利发光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211613353.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光器件是由金明姬;洪埩熀设计研发完成，并于2017-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件在说明书摘要公布了：本申请实施例中公开了一种发光器件、以及发光器件封装和具有该发光器件封装的发光模块。根据实施例，发光器件具有：设置在AlN模板层上的第一超晶格层，及第一半导体层、第二超晶格层以及第一导电半导体层；有源层，具有量子阱层和量子墙层，设置在第一导电半导体层上；电子阻挡层，设置在有源层上，以及第二导电半导体层。第一超晶格层的第一和第二层中的第二层、第一半导体层以及第二超晶格层的第三和第四层包括AlGaN基半导体，第三层的铝组分高于第四层的铝组分，并且具有与第一半导体层的铝组分相同的组分范围。有源层发射紫外线。
本发明授权发光器件在权利要求书中公布了：1.一种发光器件，包括： 第一导电类型半导体层； 有源层，设置在所述第一导电类型半导体层上； 电子阻挡层，设置在所述有源层上；以及 第二导电类型半导体层，设置在所述电子阻挡层上， 其中，所述电子阻挡层包括多个势垒层和多个阱层，多个所述势垒层包括与所述有源层相邻的第一势垒层、与所述第二导电类型半导体层相邻的第二势垒层、以及在所述第一势垒层和所述第二势垒层之间的至少一个中间势垒层；所述中间势垒层的铝组分高于所述第一势垒层和所述第二势垒层的铝组分，以及 所述有源层包括量子阱层和量子墙层，多个所述势垒层中的每一个具有高于所述有源层的量子墙层的铝组分，所述阱层具有比所述有源层的最后量子墙层低的铝组分，所述有源层的最后量子墙层的铝组分高于所述第二导电类型半导体层的铝组分，所述有源层的最后量子墙层为所述有源层的所有量子墙层中最靠近所述电子阻挡层的量子墙层。
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