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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115863256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211648368.X，技术领域涉及：H10W20/41；该发明授权一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法是由周彦钦;卢永华;代笠设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法，包括：按照金属大马士革一体化刻蚀工艺菜单，在层间介质层中形成具有沟槽和相连位于所述沟槽下方的孔洞的大马士革结构，并露出所述孔洞底部下方的下层铜层的表面；执行原位灰化步骤；插入执行预处理步骤，将所述原位灰化步骤中在所述孔洞底部下方露出的所述下层铜层表面上形成的氧化铜还原为铜；继续执行所述工艺菜单中的其他后续步骤。本发明能避免在孔洞底部下方产生铜缺失空洞，进而导致断路的缺陷，有效提高了晶圆良率，具有实现简单，成本低廉，效果显著的优点。

本发明授权一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善金属大马士革一体化刻蚀中铜线氧化缺陷的方法，其特征在于，包括： 按照金属大马士革一体化刻蚀工艺菜单，在层间介质层中形成具有沟槽和相连位于所述沟槽下方的孔洞的大马士革结构，并露出所述孔洞底部下方的下层铜层的表面； 执行原位灰化步骤； 插入执行预处理步骤，将所述原位灰化步骤中在所述孔洞底部下方露出的所述下层铜层表面上形成的氧化铜还原为铜；所述插入执行预处理步骤，将所述原位灰化步骤中在所述孔洞底部下方露出的所述下层铜层表面上形成的氧化铜还原为铜，具体包括：通入含氢气体并进行解离，利用形成的氢自由基进行还原反应，将所述原位灰化步骤中在所述孔洞底部下方露出的所述下层铜层表面上形成的氧化铜还原为铜； 继续执行所述工艺菜单中的其他后续步骤； 执行预处理步骤时，通过使用脉冲源射频功率，并在脉冲射频停顿时，通过打开抽真空，将积聚在所述孔洞内的电子、离子及氢氧根反应生成物抽离，以防止积聚在所述孔洞底部的电子和离子加速氢等离子体对所述孔洞底部下方的铜的轰击；在脉冲射频恢复时，通过关闭抽真空，使氢自由基继续对所述孔洞底部的氧化铜进行还原反应。

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