新伟智方有限公司李仁淑获国家专利权
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龙图腾网获悉新伟智方有限公司申请的专利利用退磁的防伪变造装置的制造方法及用此制造的防伪变造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115848005B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111114470.7，技术领域涉及：B41F11/02；该发明授权利用退磁的防伪变造装置的制造方法及用此制造的防伪变造装置是由李仁淑;曹仁锡设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用退磁的防伪变造装置的制造方法及用此制造的防伪变造装置在说明书摘要公布了：本发明涉及利用退磁的防伪变造装置，其特征是，包括：弱磁性体基材；以及在所述弱磁性体基材表面以退磁方式形成的隐藏标记。所述隐藏标记是，通过强磁性体印刷装置接触或靠近所述弱磁性体基材的表面，消除所述弱磁性体基材表面上存在的磁力的方式形成。
本发明授权利用退磁的防伪变造装置的制造方法及用此制造的防伪变造装置在权利要求书中公布了：1.一种利用退磁的防伪变造装置，其特征在于，包括：弱磁性体基材；以及在所述弱磁性体基材表面以退磁方式形成的隐藏标记；所述隐藏标记是，通过强磁性体印刷装置接触或靠近所述弱磁性体基材的表面，消除所述弱磁性体基材表面上存在的磁力的方式形成，所述强磁性体印刷装置包括主体和印刷头部，用永磁铁或电磁铁施加铁磁性而印刷所述隐藏标记。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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