中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司亚伯拉罕·庾获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111039700.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由亚伯拉罕·庾;施雪捷;金吉松设计研发完成，并于2021-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，所述半导体结构包括：沟道结构，包括间隔悬空设置于所述第一凸起部上方的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括一个或多个依次间隔设置的第一沟道层，所述第一沟道层在沿垂直于衬底表面的方向堆叠；且沿所述第一凸起部的排列方向，所述第一沟道层为具有晶面的波浪形结构，在半导体领域中，PMOS器件的沟道在晶面的空穴迁移率，大于在晶面的空穴迁移率，从而本发明实施例能够为PMOS器件提供具有晶面的沟道，有利于提高PMOS器件的沟道迁移率，并且，所述第一沟道层为波浪形结构，还有利于增大PMOS器件的有效沟道宽度；综上，本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，包括用于形成PMOS器件的PMOS区； 多个第一凸起部，分立于所述PMOS区的衬底上； 隔离层，位于所述衬底上且围绕所述第一凸起部，所述隔离层露出所述第一凸起部的顶面； 沟道结构，包括间隔悬空设置于所述第一凸起部上方的第一沟道结构，所述第一沟道结构包括一个或多个依次间隔设置的第一沟道层，所述第一沟道层在沿垂直于衬底表面的方向堆叠；沿所述第一凸起部的排列方向，所述第一沟道层为具有111晶面的波浪形结构； 栅极结构，包括位于所述PMOS区的所述隔离层上且横跨所述第一沟道结构的第一栅极结构，所述第一栅极结构包围所述第一沟道层； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的沟道结构内；所述源漏掺杂区包括第一源漏掺杂区，位于所述第一栅极结构的两侧，且与所述第一沟道结构中的每个第一沟道层沿延伸方向的端部相接触。
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