AMS-欧司朗国际有限公司菲利普·普斯特获国家专利权
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龙图腾网获悉AMS-欧司朗国际有限公司申请的专利光电子器件和用于鉴别光电子器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115769392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180048160.1，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权光电子器件和用于鉴别光电子器件的方法是由菲利普·普斯特;斯蒂芬·兰格;塞巴斯蒂安·斯托尔设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电子器件和用于鉴别光电子器件的方法在说明书摘要公布了：提出一种光电子器件。根据一个实施方式，光电子器件包括：半导体芯片，该半导体芯片被设置成在光电子器件的运行期间发射具有第一波长范围的初级辐射；部件，该部件包括光学活性材料，其中部件至少部分地设置在半导体芯片的射束路径中；并且光学活性材料不被设置成由具有第一波长范围的初级辐射激励。此外，提出一种用于鉴别光电子器件的方法。
本发明授权光电子器件和用于鉴别光电子器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种光电子器件1，包括 -半导体芯片2，其被设置成在所述光电子器件1的运行期间发射具有第一波长范围的初级辐射， -部件4，其包括光学活性材料， 其中 -所述部件4至少部分地设置在所述半导体芯片2的射束路径中， -所述光学活性材料不被设置成由具有第一波长范围的初级辐射激励，并且 -所述光学活性材料在所述部件中的份额为0.004重量%至1重量%，其中包括边界值 其中所述光电子器件1不含设置成激励所述光学活性材料的半导体芯片或光学活性元件，并且 其中所述光学活性材料被设置成吸收来自光电子器件外部的第二波长范围的辐射并转换成次级辐射。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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