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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765813B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211314629.4，技术领域涉及：H04B7/06；该发明授权一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法是由李鑫宇;夏双志;王鹏毅;范事成;刘子龙设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法，涉及波束形成领域。本发明首先构建广域稀布阵列，并确定可用的工作频段及工作频点；其次，将选用的不同频段的不同频点进行联合波束形成，计算最大的旁瓣主瓣比，并确定其中使最大主瓣旁瓣比最小的频段及频点数目，最后确定最终的方向图函数并进行波束形成。本发明能够使广域稀布阵列形成低旁瓣，可解决广域稀布阵列在波束形成时旁瓣过高的问题。

本发明授权一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法在权利要求书中公布了：1.一种广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，构建广域稀布阵列，广域稀布阵列中的阵元总数为M，确定第m个阵元的坐标x,y,z，确定可用频段范围[fmin,fmax]；其中，m＝1,2,...,M，fmin表示可用频段最低频点，fmax表示可用频段最高频点； 步骤2，在可用频段范围[fmin,fmax]中选取N个频点，N个频点中的第i个频点fiN为： 其中，N＝2,...,10，i＝1,2,...,N； 步骤3，按照下式计算N个频点联合低旁瓣波束形成时的最大旁瓣主瓣比ratio ΔR＝xcosθcosφ+ycosθsinφ+zsinθ ΔR＝xcosθcosφ+ycosθsinφ+zsinθ 其中，c为光速，φ为方位角，θ为俯仰角，θ,φ为波束指向，S为方向图俯仰向的旁瓣区间，S为方向图方位向的旁瓣区间； 步骤4，重复步骤2和步骤3，分别获得N＝2,...,10的ratio，选出使得20log10ratio取最小值的N值，将其设为k′，即 接着，在N＝2,...,k′的范围内，选出满足以下条件的N的最小取值： 20log10ratioN-20log10ratiok′＜1，N＝2,...,k′ 该最小取值即为最终确定的多频点联合低旁瓣波束形成的频点数目k； 步骤5，计算方向图： 其中，Fkφ,θ为由k个频点联合低旁瓣波束形成的方向图函数； 完成广域稀布阵列多频点联合低旁瓣波束形成。

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