友达光电股份有限公司吴尚霖获国家专利权
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龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利主动元件基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211471373.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权主动元件基板是由吴尚霖设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本主动元件基板在说明书摘要公布了：本发明公开一种主动元件基板，包括基板、缓冲层、第一金属氧化物图案、第一栅绝缘结构、第二半导体层、第二栅绝缘结构、第一栅极、第二栅极、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第一金属氧化物图案位于缓冲层上，且包括第一半导体层以及第一阻氧层。第一栅绝缘结构位于第一金属氧化物图案上。第二半导体层位于第一栅绝缘结构上。第一阻氧层至少部分重叠于第二半导体层。第二栅绝缘结构位于第二半导体层以及第一栅绝缘结构上。第一栅极以及第二栅极位于第二栅绝缘结构之上，且分别重叠于第一半导体层以及第二半导体层。
本发明授权主动元件基板在权利要求书中公布了：1.一种主动元件基板，包括： 基板； 缓冲层，位于该基板之上； 第一金属氧化物图案，位于该缓冲层上，且包括第一半导体层以及第一阻氧层； 第一栅绝缘结构，位于该第一金属氧化物图案以及该缓冲层上； 第二半导体层，位于该第一栅绝缘结构上，其中该第一阻氧层至少部分重叠于该第二半导体层； 第二栅绝缘结构，位于该第二半导体层以及该第一栅绝缘结构上 第一栅极以及第二栅极，位于该第二栅绝缘结构之上，且分别重叠于该第一半导体层以及该第二半导体层； 第一源极以及第一漏极，电连接至该第一半导体层；以及 第二源极以及第二漏极，电连接至该第二半导体层。
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