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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于高次模的FSIW毫米波微带天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732918B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211503634.X，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权基于高次模的FSIW毫米波微带天线是由朱舫;韦焕杰;罗国清设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高次模的FSIW毫米波微带天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于高次模的FSIW毫米波微带天线，包括多个周期性阵列分布的天线模块；每个天线模块为2×2天线阵列，包括天线辐射结构、两个FSIW腔体结构、Y型波导功率分配器。天线辐射结构包括天线辐射单元、第一介质层、第一金属层；天线辐射单元包括四个金属矩形贴片。其中，金属矩形贴片作为天线单元向外辐射，每个单元正下方两侧刻蚀有一组对称的耦合馈电缝隙，被高次模TE2020模所使用；用于传导TE2020模的FSIW腔则是通过理想磁壁面把两侧向内翻折形成，减小近33％的平面面积。本发明天线获得8.93％阻抗带宽、低于13.4dB旁瓣电平和12.85dBi最大峰值增益，并可实现与毫米波射频前端电路直接集成。

本发明授权基于高次模的FSIW毫米波微带天线在权利要求书中公布了：1.基于高次模的FSIW毫米波微带天线，包括多个周期性阵列分布的天线模块；其特征在于每个天线模块为2×2天线阵列，包括天线辐射结构、两个FSIW腔体结构、Y型波导功率分配器； 所述天线辐射结构，包括天线辐射单元、第一介质层2、第一金属层3； 所述的天线辐射单元包括四个大小相同、呈2×2阵列分布的金属矩形贴片1，四个金属矩形贴片1间存在间隙； 所述的第一金属层3刻蚀有四对与金属矩形贴片1相对应的耦合馈电缝隙对8；每个金属矩形贴片1的中心与对应耦合馈电缝隙对8的中心对齐； 所述耦合馈电缝隙对8关于第一介质层2长边方向轴线轴对称设置； 所述两个FSIW腔体结构关于天线模块的沿着矩形耦合缝隙10长边方向向轴线轴对称设置；每个FSIW腔体结构包括第一金属层3、第二介质层4、第二金属层5、设置在所述第二介质层4中间层的中间金属层9b、贯穿第二介质层4的第一金属化通孔阵列9a、第二金属化盲孔阵列9d； 所述第二金属化盲孔阵列9d构成由SIW的两侧电壁经过折叠后重合形成的FSIW腔体电壁； 所述第一金属化通孔阵列9a构成由SIW的磁壁处折叠后封闭形成FSIW腔体的两侧长边金属壁和两短路金属壁； 所述中间金属层9b由SIW的折叠面构成，第一金属化通孔阵列9a所包围的两短路金属壁贯穿中间金属层9b，其中中间金属层9b的长边长度长于第一金属化通孔阵列9a所包围的两侧长边金属壁长度； 所述FSIW腔体的两侧长边金属壁与所述中间金属层9b不接触； 所述第二金属层5刻蚀有2条矩形耦合缝隙10，且分别位于第二金属化盲孔阵列9d的正下方； 所述Y型波导功率分配器采用一分二等分功分器；两条矩形耦合缝隙10在所述Y型波导功率分配器上的投影分别位于所述Y型波导功率分配器等分出的两条通路内。

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